ISSCC 2015的十大見聞

　　今年的國際固態電路會議(ISSCC)再次見證了一系列的芯片創新。盡管成本上升和追逐摩爾定律的復雜性，在這個芯片設計者的年度盛會上，工程師們設計出更小、更快、更豐富的器件，為一個新而陌生的超低功耗設計世界的呈現了一些別有風味的“小菜”。

　　對于3D芯片堆疊的討論

　　ISSCC會議上回蕩著一群設計者對于試圖從更多的日益復雜和昂貴的工藝節點中擠出更多的抱怨聲。“我們應該繼續擴展到7nm和5nm，但我們需要從這些節點獲得更多，”高通技術副總裁Geoffrey Yeap在對摩爾定律的討論會上表示。

　　Liam Madden在恢復他幫助Xilinx所建立的2.5 D芯片堆疊，最近將使用20 nm工藝集成190億個晶體管(包括10個ARM Cortex-A9核)。在新的工藝節點添加了兩個新的金屬層，“RC延遲正在抹殺你芯片中的路徑”他說。

　　ITRS半導體的Paolo Gargini表示：今天的芯片堆疊技術就像2007年高電介質金屬柵極設計一樣，是工藝的下一個大熱門。

　　來自Intel的Mark Bohr卻不同意這種觀點，他表示：“我們需要的垂直互聯要比今天的硅通孔密度大一個或兩個數量級。”

　　Liam Madde同意但表示對TSV密度有信心：“將要在未來兩年或三年增加一個數量級，但是想再超越，就是比較棘手了。”

　　即使有來自工藝的煩惱，工程師們還是表現出了許多硅創新。

　　微型傳感器，太陽核心

　　來自博世的Chinwuba Ezkewe(見下圖)展示了一個2.5 mm×3 mm的3軸陀螺儀傳感器，其精度足以用于導航，但在1.71 V~3.6 V電壓下只消耗0.85 mA。

　　下圖是密歇根大學的研究人員展示了一個ARM Cortex-M0 +，其消耗0.09 mm2 太陽能電池產生400 μW的功率，這受益于他設計的新型電路抑制了漏電。

　　模塊化智能手機

　　日本Keio大學的Atsutake Kosuge(下圖) 開發了一個6 Gb/s非接觸式接口面向連接的模塊化手機，這種手機是谷歌開發作為其Ara項目的一部分。他的寬帶方法允許基帶編碼達到MIPI數據速率，但還并未向谷歌工程師透露。

　　智能手機在4K中的吶喊

　　聯發科的林錫安(下圖)協助設計了公司所展示的能播放4K視頻的HEVC編碼器模塊。基于28 nm工藝，該模塊占用面積僅為2.16 mm2。

　　下面，夏普的工程師展示了帶有并行接口的240 Hz電容式觸摸屏，其在平板上的速度表現與智能電視一樣快。該芯片的當前版本是基于一個直接連接到主機處理器的模擬前端(AFE)，去除了在上一代中的一個數字芯片。