一種軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路

　　當(dāng)輸入電壓正常接入時(shí)，偏置部分電流經(jīng)過R1、R2，通過Q2的體二極管回到輸入端，R2上的分壓即為Q1、Q2的柵極源極間電壓，由于C1的作用，柵極源極之間的電壓從零開始逐漸升高，Q1、Q2緩慢地進(jìn)入飽和區(qū)，起到軟啟動(dòng)的作用。當(dāng)輸入電壓反接時(shí)，由于Q2的體二極管反向截止，無偏置電流回路，電路不工作，起到防反接保護(hù)的作用。可以看出Q2起到防反接保護(hù)的作用，Q1起到軟啟動(dòng)的作用。需要注意：輸入、輸出參考地不相同。

　　實(shí)際中Q1、Q2可被封裝在一起，市面上有較多此類芯片，例如IRL6372PbF，其飽和導(dǎo)通電阻在17.9mΩ^[5]，其上消耗的功率可以忽略。

　　5.2 P溝道MOSFET整合

　　P溝道MOSFET整合后的軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路，電路圖見圖10。

　　當(dāng)輸入電壓正常接入時(shí)，偏置部分電流經(jīng)過Q2的體二極管，流經(jīng)R1、R2回到輸入端，R1上的分壓即為Q1、Q2的柵極源極間電壓，由于C1的作用，柵極源極之間的電壓從零開始逐漸降低，Q1、Q2緩慢地進(jìn)入飽和區(qū)，起到軟啟動(dòng)的作用。當(dāng)輸入電壓反接時(shí)，由于Q2的體二極管反向截止，無偏置電流回路，電路不工作，起到防反接保護(hù)的作用。可以看出Q2起到防反接保護(hù)的作用，Q1起到軟啟動(dòng)的作用。

　　實(shí)際中Q1、Q2可被封裝在一起，市面上有較多此類芯片，比如IRF9358PbF，其飽和導(dǎo)通電阻在23.8mΩ^[6]，其上消耗的功率可以忽略。

　　上面兩種保護(hù)電路，從輸入輸出來看，實(shí)際上是完全對(duì)稱的電路結(jié)構(gòu)，故也可以從輸出端輸入電壓，然后從原輸入端輸出電壓，同時(shí)具有同樣的保護(hù)功能。在應(yīng)用中需要注意，如果輸出端有電池作為負(fù)載，可能會(huì)出現(xiàn)電池的電壓倒灌至輸入端，需要考慮對(duì)輸入端的影響。如果需要實(shí)現(xiàn)單向的輸入，可以對(duì)電路進(jìn)行修改，下面以雙P溝道MOSFET為例進(jìn)行說明，電路圖見圖11。

　　在雙P溝道MOSFET的電路基礎(chǔ)上增加一個(gè)N溝道的MOSFET作為方向控制，當(dāng)控制信號(hào)來自輸入端，則電流方向即為從輸入流向輸出端，即便是輸出有類似電池的負(fù)載，電壓也不會(huì)倒灌至輸入端。此電路已在多個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)中應(yīng)用，取得很好的保護(hù)效果。

　　6 結(jié)論

　　將軟啟動(dòng)、防反接保護(hù)電路整合在一起，兩個(gè)MOSFET共用偏置電路，可以簡化電路設(shè)計(jì)，選用封裝兩個(gè)MOSFET的器件，可以有效減小保護(hù)電路部分PCB的面積。

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　　[5] International Rectifier. IRL6372PbF Datasheet[EB/OL].http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl6372pbf.pdf
　　[6] International Rectifier. IRF9358PbF Datasheet[EB/OL].http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf9358pbf.pdf