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        安森美半導體新一代外圍組件快速互連(PCIe)方案優化服務器時鐘應用

        作者: 時間:2014-11-19 來源:電子產品世界 收藏

          2) NB3N51034、NB3N51044和NB3N51054

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/265622.htm

          這些都是新推出的產品,特性包括:采用25 MHz基本模式并聯諧振晶體;掉電模式;不需要外部環路濾波器;四個低歪曲率HCSL輸出;OE三態輸出;擴頻選擇為-0.5%、-1.0%、-1.5%和無擴頻;PCI Express Gen 1、2、3抖動要求;引腳兼容IDT557-05、5V41236、5V40166。

          在100MHz條件下,NB3N51034與競爭對手( Gen3) 相比,其均方根(RMS)抖動僅為0.41ps (12 kHz~20 MHz),而競爭對手為65 ps (12 kHz~20 MHz),見圖4。

          

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          圖4:安森美半導體NB3N51034均方根抖動性能明顯優于競爭器件

          另一款是NB3N51044 3.3 V四輸出HCSL/LVDS合成器,帶單獨輸出啟用 (OE),增加了LVCMOS/LVTTL輸入,支持四個100 MHz ()或125 MHz (sRIO) HCSL輸出;FSEL引腳可在100 MHz/125 MHz之間切換;PLL旁路模式;每個輸出三態輸出單獨OE;引腳兼容IDT841604A。

          還有一款新產品是NB3N51054 3.3 V、1:4 HCSL/LVDS合成器。其特性在于具有減少EMI的擴頻;啟用/禁用每個輸出和選擇/關擴頻ON/OFF的I2C接口;引腳兼容ICS841S104I。

          3) NB3N3002/5573

          它具有以100 MHz頻率驅動NB3N106K/108K/111K的輸出性能。在扇出緩沖器輸出進行測量的結果顯示,含25 MHz晶體的NB3N3002/5573(生成器)以100 MHz模式驅動NB3N106K/108K/111K扇出緩沖器符合 1、2、3抖動及相位噪聲規范;為NB3N3002/557增加扇出緩沖器不會產生足夠的抖動或相位噪聲以產生無法符合PCIe 1、2、3相位噪聲及抖動規范的“系統”。

          4) 用于PCIe應用的分配器件ZDB及扇出緩沖器

          平臺有3種拓撲結構:內部系統時鐘、混合系統時鐘和外部系統時鐘。針對PCIe外部時鐘架構,安森美半導體提供多種專用時鐘選擇,包括時鐘產生器(NB3N3002/NB3N5573/NB3N51034/NB3N51054/NB3N51054/NB3N

          51044) 、零延遲緩沖器(ZDB) NB3N1200K/NB3W1200L (可用于PCIe混合時鐘架構),以及HCSL至HCSL扇出緩沖器(不需要精確調節時鐘沿使其與ZDB輸出同步的多PCIe參考時鐘產生器)。

          例如,NB3N1200K/NB3W1200L零延遲緩沖器(ZDB)帶12路HCSL/NMOS推挽輸出,特性包括:支持DIF SRC時鐘;12個差分時鐘輸出對@0.7V (NB3N1200K) ;12個低功耗NMOS推挽輸出對(NB3W1200L) ;針對100MHz和133 MHz優化,符合PCIe 第2代/第3代和英特爾QPI相位抖動規范;符合低EMI擴頻;最低輸入至輸出延遲變化的偽外部固定反饋;每12個輸出的單獨OE控制引腳。兩者的相位噪聲均優于競爭對手,見圖5。

          

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          圖5:NB3N1200K與競爭器件的相位噪聲性能比較

          使用NB3N1200K或NB3W1200L時需注意,NB3W1200L是低能耗版本,用于要求低能耗的系統,用于長度小于20英寸的較短長度輸出傳輸線路;NB3N1200K使用標準HCSL輸出設計,在輸出使用恒流源,可維持長于20英寸輸出傳輸線路的信號完整性。

          另外,多個PLL分層布置時,用戶可調節帶寬對時鐘樹進行系統優化。使用HBW(高帶寬)擴頻時鐘時用于維持擴頻特性,從而將輸入與輸出相位差減至最小;使用LBW (低帶寬)可濾除PLL帶寬內的時鐘輸入抖動。

          以下情況應該使用ZDB或扇出緩沖器:使用零延遲緩沖器 (ZDB) (PLL模式) 時;維護同步時鐘沿對齊時;當時鐘生成至輸出傳播延遲至關重要時;用作扇出緩沖器時;當時鐘生成至扇出輸出傳播延遲不重要時。

          5) 新產品

          安森美半導體還在開發一系列新產品來滿足英特爾白皮書規范,如帶19路HCSL/NMOS報推挽輸出的NB3N1900K/NB3W1900L ZDB,帶8路低能耗NMOS推挽輸出的NB3W800L ZDB,帶HCSL輸出的NB3N208K 1:8扇出緩沖器,以及帶HCSL輸出的扇出緩沖器NB3N106K、NB3N108K、NB3N111K和NB3N121K等。以上介紹的器件工作范圍為3.3 V ± 5-10 %,工業級溫度范圍均為-40°C至85°C,目標市場及應用涵蓋(PCIe、QPI和FB-DIMM),以及網絡(PCIe) 等。這些器件提供優異性能。以NB3N1900K為例,其相位噪聲性能優于競爭器件,見圖6。

          

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          圖6a:NB3N1900K與競爭器件的相位噪聲性能比較

          

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          圖6b:NB3N1900K與競爭器件的相位噪聲性能比較(續)

          總結:

          作為應用及其它多種應用的時序方案供應商,安森美半導體提供包括時鐘產生、零延遲緩沖器(ZDB)及扇出緩沖器等在內的完整方案。公司的產品涵蓋計算機應用的寬廣產品陣容,具有一流的相位噪聲和抖動性能以及極高的性價比優勢,符合及超越第1代、第2代及第3代PCIe要求,可以直接升級眾多現有工業標準方案。

          供稿:安森美半導體


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        關鍵詞: PCIe 時鐘 服務器

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