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        在WinCE下,應(yīng)用程序直接讀/寫(xiě)/擦除flash設(shè)備的方法

        作者: 時(shí)間:2009-05-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        在網(wǎng)上的很多論壇中都看到有人提問(wèn):應(yīng)用程序如何直接讀寫(xiě)Flash的扇區(qū),或者是類(lèi)似的問(wèn)題。總之,就是希望應(yīng)用程序能夠直接訪問(wèn)Flash設(shè)備,直接讀寫(xiě)扇區(qū)的數(shù)據(jù),或者作其他的操作。這幾天沒(méi)事,就嘗試著做了一下,把我的方法介紹給大家。

        先做個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。支持Flash設(shè)備,一般指Nandflash或者是,采用的架構(gòu)一般是,我們實(shí)現(xiàn)FMD相關(guān)的接口函數(shù),F(xiàn)lash的驅(qū)動(dòng)就算完成了。當(dāng)啟動(dòng)以后,我們能夠看到Flash設(shè)備的磁盤(pán)。我們可以操作磁盤(pán)上面的文件,但是不能直接操作flash設(shè)備,對(duì)Flash設(shè)備的操作無(wú)非就是:讀,寫(xiě),擦除,讀ID。

        現(xiàn)在開(kāi)始介紹實(shí)現(xiàn)的方法。我們?nèi)绻朐趹?yīng)用程序中直接調(diào)用FMD中的FMD_ReadSector(..),F(xiàn)MD_WriteSector(..),F(xiàn)MD_EraseBlock(..)是不太現(xiàn)實(shí)的。這里再補(bǔ)充一下,這三個(gè)函數(shù)分別是Flash的讀扇區(qū),寫(xiě)扇區(qū),擦除塊的函數(shù)。好像有點(diǎn)羅嗦了。但是我們可以在應(yīng)用程序中調(diào)用到FMD_OEMIoControl(..)函數(shù),這個(gè)是可以做到的。所以我們需要改一下Flash設(shè)備的驅(qū)動(dòng)程序,也就是改Flash設(shè)備驅(qū)動(dòng)中的FMD_OEMIoControl(..)這個(gè)函數(shù)。我的改動(dòng)如下:

          BOOL FMD_OEMIoControl(DWORD dwIoControlCode, PBYTE pInBuf,DWORDnInBufSize, PBYTE pOutBuf, DWORD nOutBufSize,PDWORDpBytesReturned)

          PFMDInterface pInterface = (PFMDInterface)pOutBuf;

          RETAILMSG(1, (TEXT(FMD_OEMIoControl: control code is0x%xrn),dwIoControlCode));

          switch(dwIoControlCode)

          case IOCTL_FMD_GET_INTERFACE:

          if (!pOutBuf nOutBufSize sizeof(FMDInterface))

          DEBUGMSG(1, (TEXT(FMD_OEMIoControl: IOCTL_FMD_GET_INTERFACEbadmeter(s).rn)));

          return(FALSE);

          pInterface->cbSize = sizeof(FMDInterface);

          pInterface->pInit = FMD_Init;

          pInterface->pDeInit = FMD_Deinit;

          pInterface->pGetInfo = FMD_GetInfo;

          pInterface->pGetInfoEx = NULL; //FMD_GetInfoEx;

          pInterface->pGetBlockStatus = FMD_GetBlockStatus;

          pInterface->pSetBlockStatus = FMD_SetBlockStatus;

          pInterface->pReadSector = FMD_ReadSector;

          pInterface->pWriteSector = FMD_WriteSector;

          pInterface->pEraseBlock = FMD_EraseBlock;

          pInterface->pPowerUp = FMD_PowerUp;

          pInterface->pPowerDown = FMD_PowerDown;

          pInterface->pGetPhysSectorAddr = NULL;

          pInterface->pOEMIoControl = FMD_OEMIoControl;

          break;

          case 0xff123456:

          FMD_ReadSector(..);//調(diào)用讀Sector函數(shù)

          break;

          case 0xff654321:

          FMD_WriteSector(..);//調(diào)用寫(xiě)Sector函數(shù)

          break;

          case 0xff123457:

          FMD_EraseBlock(..);//調(diào)用擦除Block函數(shù)

          break;

          default:

          DEBUGMSG(1, (TEXT(FMD_OEMIoControl: unrecognizedIOCTL(0x%x).rn), dwIoControlCode));

          return(FALSE);

          return(TRUE);

        在FMD_OEMIoControl(..)函數(shù)里面增加了3個(gè)case,這3個(gè)case里面調(diào)用了讀/寫(xiě)/擦除函數(shù)。至于Case的值,我是隨便定義的。這樣Flash設(shè)備的驅(qū)動(dòng)部分就改完了。

        在改完Flash驅(qū)動(dòng)以后,我下面會(huì)提供兩種方法,每一種方法都和Flash設(shè)備的注冊(cè)表配置有關(guān):

        1. 以Nandflash為例,當(dāng)然對(duì)于來(lái)說(shuō)大同小異,注冊(cè)表配置如下:

          [HKEY_LOCAL_MACHINEDriversBuiltInNANDFlash]

          Dll=ep94xxnandflash.dll

          Prefix=DSK

          Order=dword:4

          ;Ioctl=dword:4

          Profile=NSFlash

          IClass=A4E7EDDA-E575-4252-9D6B-4195D48BB865

          ; Override names in default profile

          [HKEY_LOCAL_MACHINESystemStorageManagerProfilesNSFlash]

          Name=Ep94xx NAND Flash

          Folder=NANDFlash

          PartitionDriver=MSPart.dll

          AutoMount=dword:1

          AutoPart=dword:1

          AutoFormat=dword:1

          [HKEY_LOCAL_MACHINESystemStorageManagerProfilesNSFlashFATFS]

          EnableCache=dword:1

          CacheSize=dword:1000

          MountBootable=dword:1

          Flags=dword:00000024

          CheckForFormat=dword:1

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