賽普拉斯擴(kuò)充業(yè)界領(lǐng)先的非易失性RAM產(chǎn)品發(fā)布全新16Mb并行nvSRAM系列

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)，包括具有異步并行和異步開(kāi)放式NAND閃存接口(ONFI)標(biāo)準(zhǔn)1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴(kuò)展了賽普拉斯的產(chǎn)品線，以滿足高端可編程邏輯控制器(PLC)、存儲(chǔ)設(shè)備中的高速數(shù)據(jù)/錯(cuò)誤日志記錄器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、航空電子系統(tǒng)以及電子游戲機(jī)等關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用的需求。

　　16 Mb nvSRAM是市場(chǎng)上最快的高容量異步非易失性RAM，存取時(shí)間可低至25 ns。賽普拉斯的新器件可選擇集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)，以便在重要數(shù)據(jù)日志中標(biāo)記時(shí)間。賽普拉斯的nvSRAM具有無(wú)限次讀、寫(xiě)和恢復(fù)的特點(diǎn)，在85?C的溫度下數(shù)據(jù)可保存20年，65?C下則可以保存150年。賽普拉斯的nvSRAM對(duì)于需要連續(xù)高速讀寫(xiě)數(shù)據(jù)和絕對(duì)非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，是非常理想的選擇。

CY14V116F7、CY14V116G7數(shù)據(jù)表鏈接地址為：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121138

CY14B116K、CY14B116M數(shù)據(jù)表鏈接地址為：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121139

CY14B116L、CY14B116N、CY14B116S、CY14E116L、CY14E116N、CY14E116S：數(shù)據(jù)表鏈接地址為：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121140

　　賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)Rainer Hoehler說(shuō)：“關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)需要能在掉電的瞬間立即可靠地捕獲數(shù)據(jù)的高性能存儲(chǔ)器。賽普拉斯的16 Mb nvSRAM能夠?qū)崿F(xiàn)絕對(duì)的數(shù)據(jù)安全，并且是業(yè)界最快的高容量NVRAM。ONFI 1.0可選接口能使采用NAND控制器的客戶也可以享受到我們nvSRAM無(wú)與倫比的性能。”

　　供貨情況

　　16 Mb nvSRAM目前可以提供樣片，預(yù)計(jì)于2014年第三季度量產(chǎn)。ONFI 1.0器件的供電電壓為3V，IO電壓為1.8V，數(shù)據(jù)總線寬度為8比特和16比特，封裝方式為165-ball FBGA。異步并行器件可選擇帶或不帶RTC，數(shù)據(jù)總線寬度為8、6、132比特，供電電壓為3V、5V，以及1.8V IO電壓的3V供電。其封裝方式為44-pin TSOPII、48-pin TSOPI、54-pin TSOPII以及165-ball FBGA。