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        夏普晶硅太陽能電池效率提至25.1%

        作者: 時間:2014-04-30 來源:慧聰電子網(wǎng) 收藏

          宣布將晶體硅型單元的單元轉(zhuǎn)換效率提高到了25.1%。這一數(shù)值僅次于松下2014年4月10日發(fā)布的25.6%。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/246174.htm

          關(guān)于晶體硅的單元轉(zhuǎn)換效率,1999年3月澳大利亞新南威爾士大學(xué)(UniversityofNewSouthWales,UNSW)創(chuàng)下的25.0%在很長一段時間內(nèi)都是最高值。此次,松下和幾乎同時超過了25%。

          與松下一樣,采用的電池單元也組合使用了在硅基板上形成非晶硅層的“異質(zhì)結(jié)”以及只在背面形成電極的“背接觸結(jié)構(gòu)”。在通過非晶硅層的作用來抑制硅基板表面載流子復(fù)合的同時,去掉了受光面的電極,增加了入射到單元的光線。另外,截至目前,夏普和松下都未明確該構(gòu)造單元的量產(chǎn)時間。

          夏普已經(jīng)將背接觸結(jié)構(gòu)應(yīng)用到產(chǎn)品中。在背接觸結(jié)構(gòu)中組合使用異質(zhì)結(jié)的研究成果是在2012年12月日本國內(nèi)展會上首次公開的。當(dāng)時的單元轉(zhuǎn)換效率為21.7%。2013年2月提高至22.3%、2013年7月提高至24.2%、2013年10月達到24.7%、2014年2月達到24.9%,到在2014年4月達到了25.1%。

          實現(xiàn)25.1%轉(zhuǎn)換效率的單元短路電流密度為41.7mA/cm2、開路電壓為736mV、填充因子為81.9%、測量部分的面積為3.72cm2。測量工作由日本電氣安全環(huán)境研究所(JET)實施。

          另外,此次的研究成果是作為日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)委托研究——“極限硅晶體的研究開發(fā)”項目的一環(huán),與豐田工業(yè)大學(xué)聯(lián)合實施的。



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