Vishay推出最低導(dǎo)通電阻的新款MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。

　　2014年4月29日發(fā)布的Vishay Siliconix這款-30V VDS器件具有抵御過壓尖峰所需的余量，其12V VGS使器件在-3.7V和-2.5V下具有更低的導(dǎo)通電阻，可用于超便攜、電池供電的產(chǎn)品。MOSFET適用于智能手機、平板電腦、移動計算設(shè)備、非植入式便攜醫(yī)療產(chǎn)品、硬盤驅(qū)動器，以及電動牙刷、刮胡刀，掃描儀和RFID讀寫機具等手持消費電子產(chǎn)品中的負載和輸入過壓保護開關(guān)、電池充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器。對于這些應(yīng)用，SiA453EDJ提供了18.5mΩ(-10V)、23.5mΩ(-4.5V)、26.0mΩ(-3.7V)和37.7mΩ(-2.5V)的極低導(dǎo)通電阻，內(nèi)建ESD保護達到4000V。

SiA453EDJ的數(shù)據(jù)表鏈接地址：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121118

　　SiA453EDJ在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最接近的-30V器件低36%，比使用12V VGS的最接近器件低50%。MOSFET在-2.5V下的導(dǎo)通電阻比僅次于這款器件的12V VGS器件低46%。這些業(yè)內(nèi)最低的數(shù)值使設(shè)計者能在電路里實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池使用壽命。而器件的小尺寸PowerPAK SC-70封裝能節(jié)省非常重要的PCB空間。

　　MOSFET進行了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。