賽普拉斯日前推出了 16-Mbit nvSRAM) 系列

賽普拉斯半導體公司日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態隨機訪問存儲器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。16-Mbit 系列擴展了賽普拉斯的 nvSRAM 產品系列，從而充分滿足了企業系統固態硬盤 (SSD)、高端可編程邏輯控制器 (PLC)、存儲系統高速數據/錯誤日志和網絡設備的需求。

16-Mbit nvSRAM 的存取時間低至 僅25 ns，使其成為市場上速度最快的異步非易失性 RAM。此外，全新器件還提供了可選的集成實時時鐘 (RTC)，這是同類競爭解決方案所不具備的特性。RTC 功能可用于給重要的數據打上時間標記，以便記錄。賽普拉斯的 nvSRAM 支持無限次讀，寫和恢復(recall)周期，數據保留時間長達 20 年，使其成為面向需要連續高速數據寫入和絕對非易失性數據安全性應用的業界最佳解決方案。

賽普拉斯非易失性產品業務部副總裁 Babak Taheri 指出：“全新 16-Mbit 系列產品超越了速度、密度和性能的極限，同時還保持了我們 nvSRAM 產品系列標志性的出色可靠性。同步 NAND 接口為賽普拉斯 nvSRAM 開辟了多個全新的市場，擴展了我們整體非易失性解決方案的廣度和靈活性。”

ONFI NAND 接口 nvSRAM 支持 ONFI 3.0 NV-DDR 接口 (100MHz) 和 ONFI 3.0 NV-DDR2 接口 (200MHz)。Toggle NAND 接口 nvSRAM 與 Toggle 2.0 NAND 控制器兼容，支持 DDR 工作在200MHz。

ONFI 和 Toggle 版本都能支持 x8 和 x16 數據總線寬度的單通道工作，同時也支持 x8 位數據總線寬度的雙通道和四通道工作，可實現每秒高達 4 億次的事務處理。

供貨情況

16-Mbit nvSRAM 系列目前已開始提供樣片，預計將于 2013 年第一季度投入量產。CY14V116Fx 的ONFI 和 Toggle NAND 器件可在 3V 內核電壓、1.8V IO 電源下工作，采用 165 焊球 FBGA 封裝。兩款異步器件(帶和不帶 RTC 功能)均可提供 8 位、16 位和 32 位數據總線寬度，供電電壓為 2.5V、3V 和 5V。這些器件分別采用了 44 引腳 TSOPII 封裝、48 引腳 TSOPI 封裝和 165 焊球 FBGA 封裝。