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        最新超級電容儲能模塊設計方案

        作者: 時間:2012-06-04 來源:網絡 收藏
        種類型的N溝道MOSFET,這里選擇的是FDS6680。由于芯片工作在100 kHz 以上的高頻狀態,所以二極管D1應選取可高速關斷的肖基特二極管,本文選擇的是MBR5340T3。

          超級以4個串聯,2組并聯的方式構成。每個超級的能量輸出為

          最新超級電容儲能模塊設計方案

          其中最新超級電容儲能模塊設計方案 ,Uic_min為芯片的最低啟動電壓。

          故超級陣列的能量總輸出為,Wall=mgngW=4x2x7400=59200J,

          超級電容陣列的容量為最新超級電容儲能模塊設計方案

          本超級電容替代模塊的容量為10Ah,最大輸出電流為1A,若要擴大其應用范圍只需要改變超級電容的串并聯數量和相應的芯片即可。

          四、總結

          由于容量的限制, 電容的作用一直被限制在濾波、耦合、諧振等方面。隨著超級電容的發展,其應用范圍得到不斷拓寬。本文介紹了一種替代蓄電池的超級電容模塊,通過合理地設計充電和穩壓電路,該模塊的能量輸出可達到59200J,具有穩定性好,轉換效率高等特點。通過matlab軟件計算本文充電電路的電流與效率之間關系,并確定最佳的充電電流范圍。隨著超級電容耐壓的提升、容量的擴大和價格的降低,相應的小功率模塊具有很好的應用前景。

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        關鍵詞: 電容 儲能 模塊設計

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