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        開關電源設計中MOSFET驅動技術詳解

        作者: 時間:2014-01-21 來源:網絡 收藏
        -wrap: break-word; text-indent: 2em; line-height: 24px; ">紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢奟3越大,MOS的導通速度越慢。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/226757.htm

        下圖是電流波形

        開關電源設計中MOSFET驅動技術詳解

        紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢奟3越大,MOS的導通速度越慢。

        可以看到,驅動電阻增加可以降低MOS開關的時候得電壓電流的變化率。比較慢的開關速度,對EMI有好處。下圖是對兩個不同驅動情況下,MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到

        開關電源設計中MOSFET驅動技術詳解

        紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢?,驅動電阻大的時候,高頻諧波明顯變小

        但是驅動速度慢,又有什么壞處呢?那就是開關損耗大了,下圖是不同驅動電阻下,導通損耗的功率曲線。

        開關電源設計中MOSFET驅動技術詳解

        紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢?,驅動電阻大的時候,損耗明顯大了。

        結論:驅動電阻到底選多大?還真難講,小了EMI不好;大了效率不好。所以只能一個折中的選擇了。

        那如果,開通和關斷的速度要分別調節,怎么辦?就用以下電路。

        開關電源設計中MOSFET驅動技術詳解

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        關鍵詞: 開關電源 MOSFET 驅動技術

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