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        提高OLED發光效率的方法

        作者: 時間:2011-11-08 來源:網絡 收藏

        雖然最近幾年有機發光二極管(OrganicLightEmissionDiode,)顯示器已經商品化,不過顯示器不論是、使用壽命,或是改用無晶硅基大型面板等問題仍有待改善。

        目前已商品化顯示器,可分為小分子OLED(SM-OLED)搭配熒光體與被動式矩陣(PassiveMatrix)基板;高分子 (polymer)+被動式矩陣基板:以及主動式小分子OLED構成的小型OLED顯示器等等。上述OLED顯示器主要是應用在移動電話與數字相機、 PDA等領域。

        由于OLED顯示器的(亦即功率效率),幾乎與LCD背光模塊相同甚至更低,這意味著OLED仍有很大的改善空間,一般認為提高OLED 發光效率,并大幅降低OLED制作成本,未來OLED才有機會取代LCD,并且在市場上占有一席之地。尤其是試量產階段的主動式矩陣OLED顯示器,由于 產量性與良品率偏低,因此制作成本是同等級LCD的兩倍。

        功率效率(Powerefficiency)

        關功率效率可以根據下式求得:
        OLED功率效率計算公式

        所謂功率效率值主要是指量子效率(quantumefficiency),除上操作電壓后獲得的百分比。根據上式可知即使有高的量子效率,功率效率值則會 隨著高操作電壓而減少,亦即增大操作電壓,其結果只是補償注入與傳輸carrier時的損失(因各層有限的傳導率),對功率效率并無實質助益。

        理論上電能轉換成光線的熱力極限,以綠光而言大約是2.5V。Novaled已經證實在carrier傳輸層內,必需整合穩定擴散的氧化還原摻雜物 (redox-dopants)。需注意是單純的摻雜(doping),只會減少組件的量子效率,因此正確的device設計也非常重要。

        實驗證明發光層或是各堆棧層,保持電子和電洞的平衡,可使載荷子的平衡系數(chargecarrierbalancefactor)接近1,在此同時設計device時,必須確定上述變量不會受到改善其它動作而減少。

        長期激發加速衰減

        Triplet/Singlet系數主要是表示發光材料的發射狀態。若以Triplet狀態的發射效率而言,理論上幾乎可達到100%;如果采用熒光體 (或Singlet)的話,Triplet/Singlet系數會受到限制,大約只有25%左右(Triplet狀態在此無法產生光)。

        由于Triplet發射方式,使得device長期處于激發狀態,因此會有無輻射性的衰減現象,最后造成device的設計變得更加困難。雖然采用 Singlet發光材料的OLED,使用壽命比較長,不過使用Triplet發光材料的OLED正迎頭趕上中,一般認為不久的將來可望進入商品化階段。 photoluminescencequantumyield主要是取決于材料,值得一提的是合成材料的純度、潔凈度、存放、處理與接口設備,都會使該值 從接近100%遽降至50%。

        不同OLED推出的時程

        OLEDdevice產生的光線被局限在device內,并且被平行地引導至基板,或是有機的表面以及有電層。簡單的概算是假設ITO的折射指數在1.8 左右時,可以獲得光學上的out-coupling系數是20%,這表示有80%的光被傳導到組件的側邊,無法被取出應用,雖然理論上該現象可以進行大幅 改善,然而設計者必須考量一個復雜的out-coupling,如此一來,結構上的改變會使device成本大幅上升,同時可能會降低其它效率的系數。

        此外device內可使光線反射的電極,由于本身自重特性質會強烈影響光學的out-coupling效率,此時若適度增加傳輸層的厚度,對out-coupling效率具有相當程度的助益,不過它涉及到低導電層的動作特性,因此操作電壓和量子效率也會隨著變化。

        根據實驗結果顯示,65cd/A與80lm/W(在100cd/m2,2.6V)的綠色磷光OLED,經過doping后的載電荷子傳輸層(如下圖所 示),它的內部量子效率(quantumefficiency)可以達到接近100%(相較之下Out-coupling系數只有20%),而且可以獲得 較佳的亮度,運作電壓更接近熱力極限。

        參雜再點傳輸層的綠磷光OLED輝度與電流密度依存特性

        OLED發展動向

        為改善上述三項缺點,同時使OLED主動顯示器作高發光效率,因此必需提高發光效率(大部分的光線被非透明的驅動硅電路遮蔽),因為適合的接點材質受限于 無機半導體,使得下層ITO和與上層金屬電觸的一般OLED結構無法正確運作,因此利用摻雜(doping)技術增加注入電荷,產生載電荷子傳輸層,可以 使適用材料發揮最大功率效益。

        除此之外,提高OLED顯示器產量也是不可或缺的條件之一。目前OLEDdevice常用超薄載電荷子傳輸膜層,雖然這樣的結構可以降低高操作電壓帶來的負面效應,不過如此一來device卻有短路之虞,根本對策是改用較厚的載電荷子傳輸層,藉此增加OLED的穩定性。

        次世代OLED的應用除了家用與工業用照明之外,更將目標鎖定在平均亮度1000cd/m2、80lm/W的白光市場。要達到這個目標,首先是所有其它的參數接近其100%極限時,out-coupling系數必需超過至20%以上。

        久以來照明設備業者莫不殷切期盼,獲得輕巧可折迭的光源環境,事實上這也是OLED未來發展目標。



        關鍵詞: OLED 發光效率

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