安森美半導體發布創新溝槽處理技術，具有業界最佳導通電阻性能

該公司計劃于年底之前推出采用此項創新溝槽處理技術的P型通道和N型通道MOSFET完整系列。最初幾款器件將于本季度推出，針對便攜和無線產品中的負載管理、電路充電、電池保護和直流-直流轉換等應用。接下來將推出面向計算機和汽車應用的高性能溝槽為本的器件。

安森美半導體副總裁兼集成電源產品總經理Ramesh Ramchandani說：“將更完善的芯片幾何學與安森美半導體的溝槽技術相結合，可發揮極佳的導通電阻特性——產生的直接效果是延長電池壽命、提升功率轉換性能并提高熱效率。當前市場上有廣泛的溝槽MOSFET可供選擇，而安森美半導體將憑借著采用先進溝槽處理技術的優越器件進軍市場。”

尖端技術
安森美半導體獨有的溝槽處理技術實現了業界最高的通道密度，在給定的封裝占位面積下具有極佳的導通電阻（Rds(on)）性能。例如，安森美半導體將生產的ChipFET封裝（1.8 mm x 3.3 mm）8伏（V）P型通道和20伏P型通道產品的導通電阻分別為19毫歐（mOhms）和21毫歐。與目前相同封裝尺寸的產品相比，在4.5伏柵極電壓下這些電阻值平均改進了40%。而安森美半導體將推出的Micro-8LL（3.3 mm x 3.3 mm）、TSOP-6（3 mm x 3 mm）與SC-88（2.0 mm x 2.0 mm）封裝MOSFET的導通電阻也有相同比例的改進。

安森美半導體的首批溝槽半導體器件將于3月開始提供樣品。