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        集成電路板簡介及分類應(yīng)用

        作者: 時間:2011-10-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        板是采用半導(dǎo)體制作工藝,在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件,并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。它在電路中用字母“IC”(也有用文字符號“N”等)表示。
        1.世界的發(fā)展歷史
           1947年:貝爾實(shí)驗(yàn)室肖克萊等人發(fā)明了晶體管,這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個里程碑;
          1950年:結(jié)型晶體管誕生;
          1950年: R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝;
          1951年:場效應(yīng)晶體管發(fā)明;
          1956年:C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝;
          1958年:仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了,開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史;
          1960年:H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝;
          1962年:美國RCA公司研制出MOS場效應(yīng)晶體管;
          1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù),今天,95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝;
          1964年:Intel摩爾提出摩爾定律,預(yù)測晶體管集成度將會每18個月增加1倍;
          1966年:美國RCA公司研制出CMOS集成電路,并研制出第一塊門陣列(50門);
          1967年:應(yīng)用材料公司(Applied Materials)成立,現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司;
          1971年:Intel推出1kb動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM),標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn);
          1971年:全球第一個微處理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工藝,這是一個里程碑式的發(fā)明;
          1974年:RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802;
          1976年:16kb DRAM和4kb SRAM問世;
          1978年:64kb動態(tài)隨機(jī)存儲器誕生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管,標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路(VLSI)時代的來臨;
          1979年:Intel推出5MHz 8088微處理器,之后,IBM基于8088推出全球第一臺PC;
          1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世;
          1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM;
          1985年:80386微處理器問世,20MHz;
          1988年:16M DRAM問世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管,標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路(VLSI)階段;
          1989年:1Mb DRAM進(jìn)入市場;
          1989年:486微處理器推出,25MHz,1μm工藝,后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝;
          1992年:64M位隨機(jī)存儲器問世;
          1993年:66MHz奔騰處理器推出,采用0.6μm工藝;
          1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工藝;
          1997年:300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μm工藝;
          1999年:奔騰Ⅲ問世,450MHz,采用0.25μm工藝,后采用0.18μm工藝;
          2000年: 1Gb RAM投放市場;
          2000年:奔騰4問世,1.5GHz,采用0.18μm工藝;
          2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。
          2003年:奔騰4 E系列推出,采用90nm工藝。
          2005年:intel 酷睿2系列上市,采用65nm工藝。
          2007年:基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。
          2009年:intel酷睿i系列全新推出,創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝,并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。
          2.我國集成電路的發(fā)展歷史
          我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代,共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:
          1965年-1978年:以計算機(jī)和軍工配套為目標(biāo),以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品,初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件;
          1978年-1990年:主要引進(jìn)美國二手設(shè)備,改善集成電路裝備水平,在“治散治亂”的同時,以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn),較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化;
          1990年-2000年:以908工程、909工程為重點(diǎn),以CAD為突破口,抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè),為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù),集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。


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