集成電路RF噪聲抑制能力測(cè)量技術(shù)

本文描述了一種通用的集成電路RF噪聲抑制能力測(cè)量技術(shù)。RF抑制能力測(cè)試將電路板置于可控制的RF信號(hào)電平下，該RF電平代表電路工作時(shí)可能受到的干擾強(qiáng)度。這樣就產(chǎn)生了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化、結(jié)構(gòu)化的測(cè)試方法，使用這種方法能夠得到在質(zhì)量分析中可重復(fù)的有用結(jié)果。這樣的測(cè)試結(jié)果有助于IC選型，從而獲得最能夠抵抗RF噪聲的電路。

　　可以將被測(cè)件(DUT)靠近正在工作的蜂窩電話，以測(cè)試其RF敏感度，但是，為了得到一個(gè)精確的、具有可重復(fù)性的試驗(yàn)結(jié)果，需要采用一個(gè)固定的測(cè)量方法，在可重復(fù)的RF場(chǎng)內(nèi)測(cè)試DUT。解決方案是采用RF測(cè)試電波暗室，提供一個(gè)可精確控制的RF場(chǎng)，其相當(dāng)于典型移動(dòng)電話所產(chǎn)生的RF場(chǎng)。

　　下面，我們對(duì)Maxim的一款雙運(yùn)放(MAX4232)和一款競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品(X)進(jìn)行RF抑制能力比較測(cè)試。

　　圖1：雙運(yùn)放的RF噪聲抑制能力測(cè)量電路(online)

　　RF抑制測(cè)試電路(圖1)給出了連到待測(cè)雙運(yùn)放的電路板連接，每個(gè)運(yùn)算放大器被配置成交流放大器，沒有交流輸入時(shí)，輸出設(shè)置在1.5V直流電平(VCC = 3V)。反相輸入通過1.5"環(huán)線(模擬輸入端的PC引線)短路至地，該環(huán)路用來模擬實(shí)際引線的的效應(yīng)，實(shí)際引線在工作頻率下會(huì)作為天線，收集和解調(diào)RF信號(hào)。通過在輸出端連接一個(gè)電壓表，測(cè)量和量化運(yùn)算放大器的RF噪聲抑制能力。

圖2：RF噪聲抑制能力測(cè)量裝置

　　Maxim的RF測(cè)試裝置(圖2)產(chǎn)生RF抑制能力測(cè)試所需的RF場(chǎng)，測(cè)試電波暗室具有一個(gè)屏蔽室，作用與法拉第腔的屏蔽室類似，它具有連接電源和輸出監(jiān)視器的端口。把下面列舉的設(shè)備連接起來就可以組成測(cè)試裝置：

　　1. 信號(hào)發(fā)生器:9kHz至3.3GHz(羅德與施瓦茨公司SML-03)

　　2. RF功率放大器(PA):800MHz至1GHz, 20W(OPHIR 5124)

　　3. 功率計(jì):25MHz至1GHz(羅德與施瓦茨公司)

　　4. 平行線單元(電波暗室)