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        突破電路設計桎梏 32位元MCU功耗再降

        作者: 時間:2013-12-04 來源:網絡 收藏
        bkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  運行頻率12MHz,MCU電壓3伏特,LDO輸出1.8伏特供給CPU內核、記憶體及其他數位電路;低功耗Cortex-M0內核:600微安培;嵌入式快閃記憶體:1.5毫安培;低功耗12MHz晶振電路:230微安培;LDO本身的靜態消耗電流:70微安培。

          總和=0.6+2+0.23+0.07=2.4毫安培,平均功耗約200μA/MHz。其中耗電比例最高的是嵌入式快閃記憶體。若要運行在更高頻率,通常會啟動內建的鎖相回路(PLL)提供更高頻率的時脈源,在1.8伏特供電的典型PLL,12MHz輸入輸出、48MHz工作電流約為1?2毫安培,若不能有效降低PLL耗電,對高頻工作的低功耗MCU將是一大電流負擔。

          LDO的最低靜態功耗、32.768kHz晶振電路、BOD及扭轉向列型液晶顯示器(TN LCD)驅動電路的工作電流,都會大大影響到待機或RTC模式的功耗指標。以低功耗應用的熱能表為例,RTC加LCD顯示的功耗要求在3V/8微安培以下,這代表可以預估分配給下列電路的電流預算為:LDO靜態功耗0.5微安培+32.768kHz晶振及RTC電路1微安培+BOD1微安培+TN LCD驅動4微安培+LCD玻璃1微安培+所有數位電路及類比周邊漏電流0.5微安培。這些類比周邊除了低耗電要求,同時必須兼具要求批量生產及溫度變化時的一致性,這對類比設計人員將是一大挑戰。

          快速喚醒這個性能指標也會影響到下列類比周邊的穩定時間。當MCU從低耗電的待機模式喚醒時,首先要將LDO快速切換到高供電模式,啟動內部高速RC振蕩器,使能嵌入式快閃記憶體及CPU,以上所有電路的穩定時間總和必須在數個微秒內完成,才能符合快速喚醒的需求。

          另外一個容易被忽略的設計是周邊電路啟動電流,因為相當多的可攜式裝置采用CR2032小型鋰電池,瞬間推動力僅有數毫安培,尤其使用一段時間瞬間推動力會更低,當MCU被喚醒時,若周邊電路啟動電流總和太大時,將會導致CR2032輸出電壓驟降,致使MCU重置(Reset)或工作不正常。為了避免此問題,除了降低周邊電路的啟動電流,另一種方法是分時分段啟動周邊電路,不要集中開啟太多耗電的電路。

          平均功耗計算范例

          為了讓讀者更具體了解平均功耗的計算,以新唐科技的低功耗MCU Nano系列及血糖計應用為例,進行使用年限的預估。

          此血糖計范例采用CR2032 230mAh電池,使用方式、運行功耗及靜態功耗如表1所示。

          突破電路設計桎梏 32位元MCU功耗再降

          使用年限的計算方式請參考表2。量測時間比例、顯示時間比例及待機時間比例可由表2求得。例如,量測時間比例為六次×0.25分鐘/(60×24)分鐘=0.1%。其余時間比例依此類推。量測平均電流為量測時間比例×(MCU運行耗電流+外部量測電路耗電流+待機(含RTC)耗電流+LCD耗電流+CR2032自放電)。顯示平均電流為顯示時間比例×(待機(含RTC)耗電流+LCD耗電流+CR2032自放電)。待機平均電流為待機時間比例×(待機(含RTC)耗電流+CR2032自放電)。最后計算出使用年限約為2.77年。由于待機時間比例高達99%,故血糖計應用待機電流為延長使用年限最重要的參數。

          突破電路設計桎梏 32位元MCU功耗再降

          低功耗MCU開發須兼顧性價比要求

          低功耗MCU設計是一個須多面向考慮的復雜工作,本文僅闡述基本設計理念。開發低功耗MCU產品時,不只要挑戰的高困難度,更要由客戶應用的角度考慮性價比,功能最強的不一定是最好的,往往性價比最適合的產品,才能在市場上取得成功。由于智慧電網、物聯網、遠端控制、自動化管理等低功耗、高效能應用需求量持續增加,在可預見的未來,低功耗MCU將逐漸取代8、16位元低功耗MCU,成為市場主流。


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