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        突破電路設計桎梏 32位元MCU功耗再降

        作者: 時間:2013-12-04 來源:網絡 收藏
        待機電流1微安培的規格,代表數位電路漏電+隨機存取記憶體(RAM)保持電流+LDO工作電流+降壓偵測或重置電路(BOD)工作電流總和必須小于1微安培,對于快閃記憶體、RAM越來越大,及功能越來越多的低功耗MCU設計廠商而言,是十分艱鉅的挑戰。

          運行、待機和喚醒時間不容忽視

          在系統級要兼顧低功耗及高效能,必須考慮實際應用面的需求,如無線環境感測器可能讓MCU主時脈及CPU關閉,只開啟低頻時脈,定時喚醒周邊電路進行偵測;當符合設定條件的事件發生時,快速啟動CPU進行處理;即使沒有任何事件發生,也必須定時喚醒CPU,維持無線感測器網路的連線。

          在遙控器的應用中,則可能完全將所有時脈源都關閉,當使用者按鍵時,快速喚醒時脈源及CPU進行處理。另外,許多應用都會加入一個MCU做為主處理器的輔助處理器,用于監控鍵盤或紅外線輸入、刷新顯示器、控制主處理器電源及智慧電池管理等任務。此時,平均功耗比單純的運行功耗或待機功耗,更具指標性意義。

          平均功耗由運行功耗和運行時間、靜態功耗和待機時間,以及不同運行模式之間的切換時間等主要參數組合而成。茲以圖1進行說明。

          突破電路設計桎梏 32位元MCU功耗再降

          圖1 不同運行時間電流大小的變化

          平均電流(IAVG)=(I1xT1+I2xT2+I3xT3+I4xT4+I5xT5+I6xT6)/(T1+T2+T3+T4+T5+T6)

          因為進入待機模式時間很短,忽略此段時間的電流消耗,公式可以簡化為:

          平均電流(IAVG)=(I1xT1+I3x 3+I4xT4+I5xT5+I6xT6)/(T1+T3+T4+T5+T6)

          由以上公式觀察到,除了降低運行電流及靜態待機電流外,降低運行時間、喚醒時間及高低速運行模式切換時間,亦為降低整機功耗的重要手段。另外,圖1同時指出,低功耗MCU支援動態切換運行時脈頻率是必要的功能。

          實現低功耗MCU設計 開發商考量須面面俱到

          低功耗MCU設計考量包括制程選擇、低功耗/高效能CPU核心、低功耗數位電路、支援多種工作模式、電源系統、豐富的喚醒機制/快速喚醒時間、低功耗類比周邊與記憶體等,以下將進一步說明之。

          制程選擇至關重要

          為了達到低功耗的運作,并能有效地在低耗電待機模式下,達到極低的待機功耗,制程的選擇極為重要。在不強調速度極致的某些制程分類,選擇極低元件截止電流制程(圖2)進行邏輯閘制作,并進行數位設計是方法之一。

          突破電路設計桎梏 32位元MCU功耗再降

          圖2 不同制程元件截止和晶片待機電流變化

          選擇這種策略的額外效益是,通常也能降低動態操作電流,達到較佳的表現。另外,由于高溫大幅增加靜態電流,當溫度由攝氏25度增加到攝氏85度時,一個典型比例約增加十倍的靜態電流。以非低功耗0.18微米制程,開發邏輯閥門數200K、4KB SRAM的MCU為例,在核心電壓1.8伏特、攝氏25度的靜態耗電約為5?10微安培;當溫度升高到攝氏85度時,靜待電流將會飆高到50~100微安培;而若采用低功耗制程,在攝氏85度時,靜態電流僅約10微安培。



        關鍵詞: 電路設計 32位元 MCU功耗

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