iDEAL的SuperQ技術正式量產，推出150V與200V MOSFET，展示業界領先的性能指標

iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現已全面量產，首款產品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。

SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電區域擴大至高達95%，并將開關損耗較競爭產品降低高達2.1倍。

該結構不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時保留了硅材料的諸多優勢，包括高強度、量產能力強以及在175°C結溫下的可靠性。

iDEAL首款150V MOSFET產品——iS15M7R1S1C，為一款典型導通電阻為6.4mΩ的器件，現已可通過5 x 6 mm的PDFN封裝交付。該表貼封裝采用外露引腳設計，便于客戶裝配并提升板級可靠性。

200V產品系列包含iS20M6R1S1T，一款典型導通電阻為6.1mΩ的MOSFET，采用11.5 x 9.7 mm的TOLL封裝。其RDS(on)比目前的業界領先產品低10%，比第二梯隊競爭產品低36%。公司目前還提供TOLL、TO-220、D2PAK-7L與PDFN等封裝形式的200V樣品。

250V、300V與400V MOSFET平臺即將推出——這些電壓等級在當前主流半導體技術中仍處于服務不足狀態。iDEAL的新一代器件將提供遠低于現有方案的導通電阻，釋放全新的效率與性能潛力。

iDEAL Semiconductor聯合創始人兼首席執行官Mark Granahan表示：“在過去的25年里，業界依賴于如Superjunction這類的‘減表電場（RESURF）’技術，但這類架構的性能已經趨于瓶頸。若要實現電源傳輸與效率的躍升，就必須引入新的架構——這正是SuperQ的使命。”

“對高性能電源解決方案的需求從未如此強烈。SuperQ將推動包括工業自動化、AI數據中心以及全球電氣化趨勢等關鍵新興應用的發展。今天，iDEAL為設計工程師提供了前所未有的150V至400V成本×性能比平臺。”

該技術可應用于MOSFET、IGBT、二極管、電源IC，甚至未來的半導體材料，使SuperQ有望成為下一代電力電子的基礎性平臺。

iDEAL的硅基功率器件由美國本土研發、設計并制造，提供廣泛的行業標準、即插即用型封裝，包括TO-220、ITO-220、TO-247、D2PAK-3L、D2PAK-7L、DPAK、TOLL、TOLT及PDFN 5x6等。產品覆蓋豐富的電壓等級與應用領域。

編輯備注

Superjunction（又稱RESURF）架構最早于1978年提出，相關專利于1984年申請，首款商用器件于1998年發布。