至信微2000V產品突破HV-HTRB/HV-H3TRB測試

在新能源、智能電網、軌道交通等高壓應用場景加速發展的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其高頻、高效、耐高溫等特性，正逐步成為產業升級的核心驅動力。然而，如何在高電壓等級下實現器件的長期可靠運行，始終是行業的技術難點。

    近日，至信微自主研發的2000V SiC MOSFET成功通過1600V HV-HTRB（高壓高溫反向偏壓）與1600V HV-H3TRB（高壓高溫高濕反向偏壓）兩項嚴苛測試，標志著我司在高壓碳化硅器件可靠性領域實現重大突破，達到行業領先水平。

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高壓可靠性測試：SiC器件的“終極試煉”

在功率半導體領域，HV-HTRB與 HV-H3TRB是評估器件在高溫、高濕和高電壓等惡劣環境下長期可靠性的核心測試項目：

• HV-HTRB：模擬器件在高溫（175℃）和高反向電壓下的持續工作狀態，考驗材料的耐壓能力與結構穩定性；確保器件在實際應用中不會因高溫和高電壓而過早失效。

• HV-H3TRB：在高溫高濕高電壓環境下施加反向偏壓，驗證器件在惡劣工況下的抗腐蝕與抗漏電性能；確保器件在高濕度、高溫度和高電壓的綜合應力下仍能滿足性能要求。

對于2000V這一超高電壓等級，工藝技術難度呈指數級上升，主要體現在幾個方面：

• 材料端: SiC雖耐高壓，但2000V下電場集中效應會放大材料缺陷，導致局部擊穿；

  
  

• 設計端: 需通過多層復合終端結構均勻分布電場，同時平衡導通損耗與動態特性；

  
  

• 工藝端: 鈍化層質量控制、柵氧界面態密度（＜1×101? cm?2·eV?1）；

  
  

• 測試端：目前國內實驗室的高壓測試平臺普遍限于1200V及以下，而1600V及以上的測試需要依賴海外高端實驗室。

本次測試中，我們的2000V產品在1600V條件下順利完成了HV-HTRB和HV-H3TRB兩項關鍵可靠性測試。

其中，HV-HTRB測試在國際權威第三方實驗室MA-tek進行，而由于國內目前尚無支持1600V及以上條件的HV-H3TRB測試平臺，HV-H3TRB測試則在臺灣MA-tek的1600V測試平臺上完成。

整個測試過程嚴格遵循JESD22-A101和MIL-STD-750-1兩項國際權威測試標準，歷經1000小時的嚴苛考驗，產品全程無失效，充分證明了至信微產品在超高電壓領域的卓越可靠性和技術實力。

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行業賦能

此次至信微2000V產品通過HV-HTRB與HV-H3TRB測試，成功突破可靠性瓶頸，解鎖高壓電力系統“高效可信賴”運行密碼，為產業提供三大核心推力：

• 高壓場景落地：支撐新能源領域2000V級海上風電變流器、1500V儲能系統直流側應用，降低系統損耗15%以上；

• 高頻高效替代：助力工業電機驅動、數據中心電源從硅基IGBT轉向SiC方案，開關頻率提升10倍，設備體積縮減40%；

• 國產自主閉環：填補國產超高壓器件空白，推動車規級電驅系統、超充樁核心模塊100%本土化供應，加速全球碳中和產業鏈重構。

    此次2000V碳化硅MOSFET通過超高電壓可靠性測試，標志著至信微電子在高電壓功率器件領域實現關鍵技術突破。未來，我們將持續加碼研發投入，深化器件性能優化與可靠性驗證體系，加速碳化硅技術在智能電網、超高壓儲能等前沿場景的產業化滲透。

    作為以創新為基因的第三代半導體企業，至信微電子已構建國內覆蓋最全、自主可控的碳化硅功率器件生態：產品矩陣覆蓋650V-3300V全電壓譜系，導通電阻橫跨5mΩ至5Ω，通過180余種型號規格精準匹配光伏逆變、新能源車電驅、工業電源等場景需求，致力于為全球客戶提供高頻高效、極致可靠的碳化硅解決方案

About Sicred

關于至信微電子

    深圳至信微電子有限公司專注于第三代半導體技術的研發，擁有行業領先的設計能力和制造工藝。該公司率先在國內研發成功車規級碳化硅MOSFET，并已通過國內汽車客戶的樣品測試。擁有多位行業專家組成的技術團隊，具備堅實的專業理論基礎和豐富的實踐經驗，展現出高水平的研發能力和多年培養的產品可靠性質量意識，能夠全面、持續、穩定地滿足客戶需求，提供符合高標準的產品和服務。