至信微2000V產(chǎn)品突破HV-HTRB/HV-H3TRB測試

在新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等高壓應(yīng)用場景加速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其高頻、高效、耐高溫等特性，正逐步成為產(chǎn)業(yè)升級的核心驅(qū)動力。然而，如何在高電壓等級下實現(xiàn)器件的長期可靠運行，始終是行業(yè)的技術(shù)難點。

    近日，至信微自主研發(fā)的2000V SiC MOSFET成功通過1600V HV-HTRB（高壓高溫反向偏壓）與1600V HV-H3TRB（高壓高溫高濕反向偏壓）兩項嚴(yán)苛測試，標(biāo)志著我司在高壓碳化硅器件可靠性領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，達到行業(yè)領(lǐng)先水平。

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高壓可靠性測試：SiC器件的“終極試煉”

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，HV-HTRB與 HV-H3TRB是評估器件在高溫、高濕和高電壓等惡劣環(huán)境下長期可靠性的核心測試項目：

• HV-HTRB：模擬器件在高溫（175℃）和高反向電壓下的持續(xù)工作狀態(tài)，考驗材料的耐壓能力與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性；確保器件在實際應(yīng)用中不會因高溫和高電壓而過早失效。

• HV-H3TRB：在高溫高濕高電壓環(huán)境下施加反向偏壓，驗證器件在惡劣工況下的抗腐蝕與抗漏電性能；確保器件在高濕度、高溫度和高電壓的綜合應(yīng)力下仍能滿足性能要求。

對于2000V這一超高電壓等級，工藝技術(shù)難度呈指數(shù)級上升，主要體現(xiàn)在幾個方面：

• 材料端: SiC雖耐高壓，但2000V下電場集中效應(yīng)會放大材料缺陷，導(dǎo)致局部擊穿；

  
  

• 設(shè)計端: 需通過多層復(fù)合終端結(jié)構(gòu)均勻分布電場，同時平衡導(dǎo)通損耗與動態(tài)特性；

  
  

• 工藝端: 鈍化層質(zhì)量控制、柵氧界面態(tài)密度（＜1×101? cm?2·eV?1）；

  
  

• 測試端：目前國內(nèi)實驗室的高壓測試平臺普遍限于1200V及以下，而1600V及以上的測試需要依賴海外高端實驗室。

本次測試中，我們的2000V產(chǎn)品在1600V條件下順利完成了HV-HTRB和HV-H3TRB兩項關(guān)鍵可靠性測試。

其中，HV-HTRB測試在國際權(quán)威第三方實驗室MA-tek進行，而由于國內(nèi)目前尚無支持1600V及以上條件的HV-H3TRB測試平臺，HV-H3TRB測試則在臺灣MA-tek的1600V測試平臺上完成。

整個測試過程嚴(yán)格遵循JESD22-A101和MIL-STD-750-1兩項國際權(quán)威測試標(biāo)準(zhǔn)，歷經(jīng)1000小時的嚴(yán)苛考驗，產(chǎn)品全程無失效，充分證明了至信微產(chǎn)品在超高電壓領(lǐng)域的卓越可靠性和技術(shù)實力。

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行業(yè)賦能

此次至信微2000V產(chǎn)品通過HV-HTRB與HV-H3TRB測試，成功突破可靠性瓶頸，解鎖高壓電力系統(tǒng)“高效可信賴”運行密碼，為產(chǎn)業(yè)提供三大核心推力：

• 高壓場景落地：支撐新能源領(lǐng)域2000V級海上風(fēng)電變流器、1500V儲能系統(tǒng)直流側(cè)應(yīng)用，降低系統(tǒng)損耗15%以上；

• 高頻高效替代：助力工業(yè)電機驅(qū)動、數(shù)據(jù)中心電源從硅基IGBT轉(zhuǎn)向SiC方案，開關(guān)頻率提升10倍，設(shè)備體積縮減40%；

• 國產(chǎn)自主閉環(huán)：填補國產(chǎn)超高壓器件空白，推動車規(guī)級電驅(qū)系統(tǒng)、超充樁核心模塊100%本土化供應(yīng)，加速全球碳中和產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)。

    此次2000V碳化硅MOSFET通過超高電壓可靠性測試，標(biāo)志著至信微電子在高電壓功率器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破。未來，我們將持續(xù)加碼研發(fā)投入，深化器件性能優(yōu)化與可靠性驗證體系，加速碳化硅技術(shù)在智能電網(wǎng)、超高壓儲能等前沿場景的產(chǎn)業(yè)化滲透。

    作為以創(chuàng)新為基因的第三代半導(dǎo)體企業(yè)，至信微電子已構(gòu)建國內(nèi)覆蓋最全、自主可控的碳化硅功率器件生態(tài)：產(chǎn)品矩陣覆蓋650V-3300V全電壓譜系，導(dǎo)通電阻橫跨5mΩ至5Ω，通過180余種型號規(guī)格精準(zhǔn)匹配光伏逆變、新能源車電驅(qū)、工業(yè)電源等場景需求，致力于為全球客戶提供高頻高效、極致可靠的碳化硅解決方案

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關(guān)于至信微電子

    深圳至信微電子有限公司專注于第三代半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計能力和制造工藝。該公司率先在國內(nèi)研發(fā)成功車規(guī)級碳化硅MOSFET，并已通過國內(nèi)汽車客戶的樣品測試。擁有多位行業(yè)專家組成的技術(shù)團隊，具備堅實的專業(yè)理論基礎(chǔ)和豐富的實踐經(jīng)驗，展現(xiàn)出高水平的研發(fā)能力和多年培養(yǎng)的產(chǎn)品可靠性質(zhì)量意識，能夠全面、持續(xù)、穩(wěn)定地滿足客戶需求，提供符合高標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品和服務(wù)。