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        大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅(qū)動IC評估板方案

        作者: 時間:2025-01-10 來源:EEPW 收藏

        致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下世平推出基于安森美()NCP5156x芯片的雙通道評估板方案。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202501/466229.htm

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        圖示1-基于產(chǎn)品的雙通道評估板方案的展示板圖

        在緊湊尺寸下實(shí)現(xiàn)高功率密度,已成為當(dāng)前工業(yè)電源設(shè)計的核心目標(biāo)。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),工程師必須考慮設(shè)計的各個方面。在這種背景下,基于 NCP5156x芯片推出雙通道評估板方案,旨在通過出色的隔離性能、高效的驅(qū)動能力以及便捷的評估環(huán)境,縮短電源產(chǎn)品的設(shè)計周期。

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        圖示2-基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅(qū)動IC評估板方案的場景應(yīng)用圖

        NCP5156x系列是onsemi推出的一款隔離式雙通道閘極驅(qū)動器,具備4.5A/9A的拉電流和灌電流峰值,專為快速開關(guān)驅(qū)動功率MOSFET和SiC設(shè)計。NCP5156x系列提供短且匹配的傳播延遲,獨(dú)立的5kVRMS內(nèi)部電流隔離輸入到每個輸出以及兩者之間的內(nèi)部功能隔離輸出驅(qū)動器,允許工作電壓高達(dá)1500VDC。另外,此驅(qū)動器具有極高的靈活性,可配置為兩個低側(cè)開關(guān)、兩個高側(cè)開關(guān),或帶有可編程死區(qū)時間的半橋驅(qū)動器。通過ENA/DIS引腳,用戶可以輕松地在ENABLE和DISABLE模式中分別設(shè)置為高電平或低電平,從而同時啟用或禁用兩個輸出。

        除此之外,NCP5156x還提供其他重要的保護(hù)功能,例如閘極驅(qū)動器和死區(qū)(Dead Zone)的獨(dú)立欠壓鎖定時間調(diào)整功能。

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        圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅(qū)動IC評估板方案的方塊圖

        隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,業(yè)內(nèi)對此類高性能的隔離驅(qū)動IC需求將不斷增長。未來,大聯(lián)大世平將繼續(xù)與onsemi等全球先進(jìn)的半導(dǎo)體供應(yīng)商緊密合作,不斷推出更多創(chuàng)新、實(shí)用的解決方案,滿足市場對高效電源產(chǎn)品的設(shè)計需求。

        核心技術(shù)優(yōu)勢:

        onsemi NCP5156x驅(qū)動IC具有以下技術(shù)優(yōu)勢:

        ●   設(shè)計彈性優(yōu)(Flexible)可用于雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋閘極驅(qū)動;

        ●   兩個輸出驅(qū)動器均具有獨(dú)立的UVLO保護(hù);

        ●   輸出電源電壓范圍為6.5V至30V,其中驅(qū)動電壓5V、8V用于一般MOSFET、13V和17V用于SiC MOSFET;

        ●   4.5A峰值拉電流(Sink)、9A峰值灌電流(Source)輸出;

        ●   共模瞬態(tài)抗擾度CMTI >200V/ns;

        ●   傳播延遲典型值為36ns;

        ●   每個通道有5ns最大延遲匹配,5ns最大脈寬失真;

        ●   使用者可程式輸入邏輯通過ANB的單輸入或雙輸入模式(僅限NCP51561/563)啟用或停用模式;

        ●   3V至5.0V VDD電源范圍,最高30V VCCA/VCCB電源范圍;

        ●   4.5A和9A拉電流/灌電流驅(qū)動能力;

        ●   TTL相容輸入;

        ●   允許輸入電壓高達(dá)18V,適用于INA、INB、和ANB腳位;

        ●   用于死區(qū)時間的板載微調(diào)電位器程式設(shè)計;

        ●   用INA、INB和ENA/DIS的3位接頭引腳;

        ●   2位接頭,用于ANB引腳;

        ●   支持MOSFET和SiC半橋測試;

        ●   連接到外部功率級的MOSFET,輸入電壓為600VDC- 800VDC(最大可允許900VDC)。

        方案規(guī)格:

        ●   電源電壓:輸入側(cè)VDD 3.0V(最小)~ 5.0V(最大);

        ●   電源電壓—驅(qū)動器側(cè)如下可選:

        ■   5V UVLO版本VCCA、VCCB:6.5V(最小)~30V(最大);

        ■   8V UVLO版本VCCA、VCCB:9.5V(最小)~30V(最大);

        ■   13V UVLO版本VCCA、VCCB:14.5V(最小)~30V(最大);

        ■   17V UVLO版本VCCA、VCCB:18.5V(最小)~30V(最大);

        ●  INA、INB和ANB引腳上的邏輯輸入電壓VIN:0V(最小)~ 18V(最大);

        ●   ENA/DIS VEN腳位上的邏輯輸入電壓:0V(最小)~5.0V(最大);

        ●   操作溫度Tj:-40°C(最小)~+125°C(最大)。



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