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        最大程度提高對(duì)汽車以太網(wǎng)應(yīng)用的ESD保護(hù)

        作者: 時(shí)間:2024-01-03 來(lái)源:安世半導(dǎo)體 收藏

        數(shù)十年來(lái),以太網(wǎng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)和計(jì)算網(wǎng)絡(luò),但如今,越來(lái)越多地部署到汽車應(yīng)用,取代了控制器局域網(wǎng)絡(luò)(CAN)等傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)。提供拓?fù)潇`活性、高帶寬和穩(wěn)定的通信,能夠滿足原始設(shè)備制造商(OEM)從域向區(qū)域網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)過(guò)渡期間的車內(nèi)數(shù)據(jù)通信需求。本文首先討論各種標(biāo)準(zhǔn),然后再考慮它們必須符合的嚴(yán)格靜電保護(hù)()和電磁兼容性(EMC)標(biāo)準(zhǔn)。最后介紹 Nexperia()的一系列元件,汽車 OEM 可利用這些元件確保車輛網(wǎng)絡(luò)在發(fā)生 事件時(shí)得到全面保護(hù)。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202401/454416.htm


        標(biāo)準(zhǔn)


        2016 年,開(kāi)放技術(shù)聯(lián)盟(One Pair Ethernet Network,OPEN)委員會(huì)開(kāi)發(fā)了 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網(wǎng)(隨后由 IEEE 標(biāo)準(zhǔn)化),主要滿足汽車應(yīng)用與電磁干擾(EMI)和兼容性(EMC)相關(guān)的特定要求。2020 年開(kāi)發(fā)的 10BASE-T1S 可實(shí)現(xiàn)短距離多點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)拓?fù)洌@一特性使其非常適合支持車輛區(qū)域架構(gòu)。目前正在開(kāi)發(fā)汽車以太網(wǎng)的千兆級(jí)版本(MGBASE-T1)。表1列出了每種標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格。


        最大程度提高對(duì)汽車以太網(wǎng)應(yīng)用的ESD保護(hù)

        表1:汽車以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)


        保護(hù)汽車以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)


        與計(jì)算設(shè)施中部署的以太網(wǎng)版本不同,100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)使用單一非屏蔽雙絞線(UTP)連接物理層接口(PHY),如圖1所示。UTP 電纜體積更小、重量更輕、成本更低且易于使用,這些都是汽車 OEM 的關(guān)鍵要求,但其結(jié)構(gòu)卻給 EMI 防護(hù)帶來(lái)了額外的挑戰(zhàn)。


        最大程度提高對(duì)汽車以太網(wǎng)應(yīng)用的ESD保護(hù)

        圖1:汽車以太網(wǎng)使用單一非屏蔽雙絞線


        在現(xiàn)代汽車中,數(shù)百米長(zhǎng)的電纜連接著多個(gè)管理各種功能的電子控制單元(ECU)。電纜通常捆綁在一起形成線束,這就大大增加了出現(xiàn) EMI 相關(guān)問(wèn)題的可能性。在最壞的情況下,UTP 電纜中的 EMI 電壓振幅可高達(dá) 100 V,因此以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)必須足夠穩(wěn)定,能夠承受這些峰值。開(kāi)放技術(shù)聯(lián)盟為汽車以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)中的每個(gè)節(jié)點(diǎn)指定的保護(hù)電路如圖 2 所示。這包括一個(gè)共模扼流圈(CMC),用于過(guò)濾可能耦合到電纜上的不必要的共模噪聲,同時(shí)還有助于防止?jié)撛诘? 破壞性影響。


        最大程度提高對(duì)汽車以太網(wǎng)應(yīng)用的ESD保護(hù)

        圖2:開(kāi)放技術(shù)聯(lián)盟指定的汽車以太網(wǎng)保護(hù)電路


        ESD 保護(hù)器件的關(guān)鍵要求是在低于 100 V 的電壓下不應(yīng)激活,同時(shí)為 24 V 工作電壓提供至少 15kV 的 ESD 保護(hù)(至少耐受1000次放電)。開(kāi)放技術(shù)聯(lián)盟還建議 OEM 執(zhí)行一系列附加測(cè)試,雖然這些測(cè)試對(duì)于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 大體相似,但它們的通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)不同。其中兩項(xiàng)測(cè)試旨在測(cè)量 ESD 保護(hù)器件對(duì)信號(hào)完整性(SI)的影響,并測(cè)量插入損耗(IL)、回波損耗(RL)和共模抑制比(CMMR)。ESD 放電電流測(cè)試可量化 ESD 事件期間流入 PHY 的電流,而射頻鉗位測(cè)試則旨在確保節(jié)點(diǎn)具有高達(dá) 100 V 的電磁兼容性。


        在實(shí)際的汽車以太網(wǎng)部署中,ESD 保護(hù)的位置和布局至關(guān)重要。如圖3中的場(chǎng)掃描圖所示,該位置應(yīng)位于連接器處,以確保 ESD 脈沖在連接器處直接被鉗位接地,從而為包括 CMC 和 PHY 在內(nèi)的所有網(wǎng)絡(luò)電路提供最大保護(hù)。


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        圖3 ESD 事件的影響取決于 ESD 電路的布局


        在脈沖條件下,CMC 可減少對(duì) PHY 的 ESD 應(yīng)力。當(dāng)瞬態(tài)脈沖擊中 CMC 時(shí),它會(huì)阻斷電流一段時(shí)間,時(shí)間長(zhǎng)短取決于脈沖的電壓電平,電壓越高,阻斷階段越短。阻斷階段之后是飽和階段,在這個(gè)階段,CMC 的行為就像電感進(jìn)入飽和狀態(tài)。一旦達(dá)到飽和,它就開(kāi)始傳導(dǎo)電流,CMC 兩端的電壓開(kāi)始下降。ESD 器件的封裝布線應(yīng)始終保持平直,避免出現(xiàn)任何接點(diǎn)或彎曲,差分信號(hào)的布線應(yīng)穿過(guò) ESD 器件的焊盤(pán)。出于信號(hào)完整性的考慮,應(yīng)避免出現(xiàn)接點(diǎn),差分線路的阻抗應(yīng)為 100 Ω。為此,必須將線路分開(kāi)。圖4顯示了 Nexperia 針對(duì)不同封裝類型推薦的布線選項(xiàng)。


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        圖4:SOT23 和 DFN 封裝 ESD 保護(hù)器件的布線選項(xiàng)


        Nexperia為汽車以太網(wǎng)提供全面的ESD保護(hù)器件系列


        Nexperia()為汽車以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)提供多種 ESD 保護(hù)器件(表2)。PESD2ETH 系列器件完全符合開(kāi)放技術(shù)聯(lián)盟 100BASE-T1 標(biāo)準(zhǔn),采用小型 SOT23 表面貼裝塑料封裝,旨在保護(hù)兩條車載網(wǎng)絡(luò)總線線路免受 ESD 和其他瞬態(tài)事件的損壞。PESD2ETH1G 器件符合開(kāi)放技術(shù)聯(lián)盟 IEEE 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 標(biāo)準(zhǔn),采用小型 DFN1006BD-2 (SOD882BD)表面貼裝塑料封裝。


        最大程度提高對(duì)汽車以太網(wǎng)應(yīng)用的ESD保護(hù)

        表2:來(lái)自 Nexperia 的 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 ESD 保護(hù)器件


        Nexperia 還提供表3所示的符合開(kāi)放技術(shù)聯(lián)盟 10BASE-T1S 標(biāo)準(zhǔn)的高穩(wěn)健性器件。它們的觸發(fā)電壓(Vt)超過(guò) 100 V,器件電容較低(< 0.5 pF),因此數(shù)據(jù)傳輸流暢,信號(hào)完整性出色。對(duì)于雙線封裝,它們的電容匹配規(guī)范為 2%(最大值)。


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        表3:來(lái) 自Nexperia 的 10BASE-T1S ESD 保護(hù)器件


        結(jié)論


        本文討論了汽車以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)的保護(hù)要求,并介紹了有助于提高 ESD 和 EMI 穩(wěn)定性的電路板布局選項(xiàng)。無(wú)論是實(shí)施 100BASE-T、1000BASE-T 還是 10BASE-T1S,汽車 OEM 都可以依靠 Nexperia 為其車載網(wǎng)絡(luò)提供所需規(guī)格和外形尺寸的保護(hù)器件。

        (來(lái)源:,作者:Andreas Hardock)



        評(píng)論


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