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        DC-DC在車載產品應用中如何避免沖擊電壓的產生

        作者:林生念(廈門美時美克空氣凈化有限公司,廈門 361106) 時間:2023-06-02 來源:電子產品世界 收藏
        編者按:由于電子設備功能越來越復雜,在滿足產品電源功率需求的同時又要兼顧產品壽命及可靠性,使得設計人員在電子產品模塊電源設計中,更加熱衷于選擇輸出效率高的DC-DC。然而在DC-DC輸入電壓較為不穩定的應用環境中特別在車載產品上,如果不對DC-DC的輸入電壓、外圍參數、負載進行有效的評估,則容易使得DC-DC的瞬態輸出電壓產生沖擊,從而造成后端用電設備的損壞。

        本人在車載多媒體收音機設計中,使用了MITSUMI公司推出的MM3630XV,為iPhone、iPad 及其余移動設備的在乘用車上的充電電源或者U 盤及移動硬盤等移動存儲設備供電,該輸出電源規格為: 輸出電壓(+5±5%)V,以USB 接口方式輸出(最大2.5 A)。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202306/447255.htm

        1 應用初期電路設計

        +5 V 輸出電源系統框圖見圖1、應用電路見圖2,MM3630XV 管腳定義見表1。

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        圖1

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        圖2

        表1

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        1.1 供電系統說明

        由車載電池KL30 經過一定的濾波處理后連接芯片的Pin18、19,作為 MM3630XV 的,經過3 顆1% 精度的反饋電阻R354=10 k、R355=1.8 k、R356 = 2.2k 的分壓產生FB 反饋信號設定最大帶載2.5 A 的+5 V 的輸出電壓(見圖3、圖4),最終通過USB 接口輸出給外部設備進行車上充電或者U 盤等移動存儲設備提供+5 V 供電。

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        圖3

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        圖4

        1.2 驗證過程中出現的問題點

        在汽車點火啟動過程中,出現一定概率U 盤損壞的嚴重問題。

        1.3 波形分析

        在汽車點火啟動過程,電池輸出電壓即MM3630XV 的在短時間內快速發生高低波動(見圖7 及表2),于此同時,MM3630XV 的輸出電壓產生了11 V 的瞬態電壓(見圖6)。

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        圖6

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        圖7

        表2 參數和規格對照表

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        1.4 原因分析

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        1.4.1 MM3630XV內部框圖及說明

        在圖8 的是依托中,1 為輸出電容,2 為BS-SW電壓檢測回路,3 是MM3630XV IC 外部泄放電阻,4是MM3630XV IC 內部泄放電阻,5 是Soft start 回路,6 是Hide-Side FET。

        1.4.2 正常啟動時序圖

        1)正常啟動時序說明

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        1.4.3 產生的異常啟動時序圖

        1)異常啟動時序說明

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        圖8

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        圖9 正常啟動的時序圖

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        圖10 產生的異常啟動時序圖

        1.4.4 沖擊發生的詳細機理

        1)BS-SW 引腳間電壓檢測

        IC 內置有BS-SW 間電壓檢測回路。當BS-SW 間電壓> 4 V,High-side FET 管打開,對SW進行升壓,保證Vout 輸出。

        2)電壓反饋

        作為ERROR AMP 回路的輸入引腳,FB 反饋電壓跟蹤 SS 電壓(VREF ≦ 0.8 V 典型值),當FB 電壓同步跟隨SS電壓一起達到0.8 V 時,此時如果High-Side FET 導通則輸出Vout = 5 V。出現輸出產生沖擊電壓的條件是:當SS 電壓>FB 電壓,重新啟動后FB 電壓還在放電至0.16 V 的過程中,當FB 放電完成后會快速跟隨SS 電壓上升,導致輸出出現過電壓狀態。( 詳見1.6.3 異常時序)

        綜上MM3630XV 的輸出產生高電壓電平需同時滿足下記兩個條件:

        1)VSS >> VFB;( 此條件可以理解成,當VSS 已經達到0.8 V 時,VFB 還在放電或者剛放電至0.16 V);

        2)(VBS-VSW) > 4 V。

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        圖11

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        圖12

        1.5 對策分析

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        圖13

        1.5.1 VFB的放電過程及VSS的充電過程分析

        1)放電電容

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        圖14

        2)VFB的IC外部放電電阻

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        圖15

        3)內部放電電阻

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        圖16

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        4)軟啟動時間

        軟啟動時間如應用指南所示,是由軟啟動充電電流和SS-GND 引腳間電容決定的,各自的精度如圖17所示。

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        圖17

        2 小結

        參數偏差整理結果歸納如圖18 所示。

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        圖18

        其中:

        1)①③④影響Vout 放電時間的參數;

        2)②影響開關起點的參數(High-side FET);

        3)⑤影響Vss 電壓啟動時間參數.

        2.1 計算輸出放電時間

        輸出放電時間可用輸出電容、放電電阻、開關起點(電壓) 計算出來。

        ( 放電時間) = ( 輸出電容)×( 放電電阻)×ln (VOUT/開關啟動電壓) 例:VOUT=5 V、開關啟動電壓= 1 V 時

        ln (VOUT/開關啟動電壓) = ln (5 V/1 V) = ln5

        由于1.5.1 中第2 部分的RFB電阻阻值遠大于1.5.1中第3 部分的IC 內部放電電阻,所以可以忽略CE=L階段的放電時間,直接按照上述公式計算Vout的放電時間,即得圖19 的結果。所以Vout放電至0.16 V最長時間TFB為29ms。

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        圖19

        2.2 計算軟啟動時間

        軟啟動時間20% 的時間TSS,即從啟動到0.16 V 的時間。(0.16 V/0.8 V = 20%)

        Css=0.015 μF, Tss=Css *U/I 得出結果如圖20。

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        圖20

        可見此時TSSmin(= 0.5 ms)<<TFB(= 29 ms), 在CE由H→ L→H 的快速變化過程中,會導致沖擊電壓的產生。

        3 對策

        Css 從0.015 μF調整為1 μF后再計算,可得圖21 的結果。

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        圖20

        TSSmin(= 30 ms)> TFB(= 29 ms)

        3.1 軟啟動電容調節后實機驗證

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        圖22

        4 結束語

        通過調整Css電容,延長了Vss的充電時間,規避了在IC再啟動過程中產生沖擊的必要條件:VSS>>VFB,從而有效的抑制了沖擊產生。

        通過該案例的啟示,研發人員在DC-DC 應用過程中,需充分考慮使用條件,特別是在供電系統易產生波動的環境中,要對Soft start 電容及Vout 泄放電阻的阻值及放電時間進行合理的理論計算,對上電、掉電時序進行充分的驗證,才能避免類似的沖擊產生,保證產品設計的可靠性。

        參考文獻:

        [1] 任艷頻.DC-DC變換電路原理及應用入門[M].北京:清華大學出版社.

        [2] 曲學基,曲敬鎧,于明揚.電力電子元器件應用手冊[M].北京:電子工業出版社.

        (本文來源于《電子產品世界》雜志2023年5月期)



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