意法半導體與Soitec合作開發碳化硅襯底制造技術

·       雙方同意對Soitec技術進行產前驗證， 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造

·       提供關鍵半導體賦能技術，支持汽車電動化和工業系統能效提升等轉型目標

2022年12月8日，中國---- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界先驅的創新半導體材料設計制造公司Soitec (巴黎泛歐證券交易所上市公司) 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃，由意法半導體在今后18 個月內完成對Soitec碳化硅襯底技術的產前認證測試。此次合作的目標是意法半導體采用 Soitec 的 SmartSiC? 技術制造未來的8寸碳化硅襯底，促進公司的碳化硅器件和模塊制造業務，并在中期實現量產。

意法半導體汽車和分立器件產品部總裁 Marco Monti表示：“汽車和工業客戶正在加快推進系統和產品的電動化，升級到8寸 SiC 晶圓將為他們帶來巨大好處，因為產品產量提高對于推動規模經濟非常重要。ST選擇了一種垂直整合的制造模式，從高質量的襯底，到大規模的前工序制造和后工序封測，在整個制造鏈中充分利用我們多年積累的專業技術專長。我們希望通過與 Soitec 技術的合作，不斷提高良率和質量。”

“隨著電動汽車的到來，汽車行業正面臨巨變。Soitec通過尖端的 SmartSiC? 技術，將獨特的 SmartCut? 工藝用于碳化硅半導體材料，將在推進電動汽車普及方面發揮關鍵作用。” Soitec 首席運營官 Bernard Aspar 表示：“將Soitec 的 SmartSiC? 襯底與ST行業率先的碳化硅技術和專長整合，將改變汽車芯片制造的游戲規則，并樹立新的標準。”

碳化硅 (SiC) 是一種顛覆性的化合物半導體材料，在電動汽車和工業制程領域重要的高增長功率應用中，碳化硅材料的固有性質令碳化硅器件的性能和能效優于硅基半導體。碳化硅可以實現更高效的電源轉換、更緊湊的輕量化設計，并節省整體系統設計成本——所有這些都是汽車和工業系統成功的關鍵參數和要素。從 6寸 晶圓升級到 8寸 晶圓，可以使制造集成電路的可用面積增加幾乎一倍，每個晶圓上的有效出片量達到升級前的1.8-1.9 倍，因此大幅增加產能。

SmartSiC? 是 Soitec 的專有技術，基于Soitec 專有的 SmartCut? 技術，從高質量碳化硅供體晶圓上切下一個薄層，將其粘合到待處理的低電阻多晶硅晶圓片表面。如此加工后的襯底可有效提高芯片的性能和制造良率。此外，優質的碳化硅供體晶圓可以多次重復使用，因此可以大幅降低供體加工的總能耗。