安森美推出3款基于碳化硅,用于車載充電器的汽車功率模塊

領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)，近日宣布推出三款基于碳化硅 (以下簡稱”SiC”) 的功率模塊，采用壓鑄模技術，用于所有類型電動汽車 (以下簡稱“xEV”) 的車載充電和高壓 (以下簡稱“HV”) DCDC轉換。APM32系列是把SiC技術和壓鑄模封裝相結合的行業首創產品，可提高能效并縮短xEV的充電時間，專用于11 kW到22 kW的大功率車載充電器 (以下簡稱“OBC”)。

這三款模塊都表現出低導通損耗和開關損耗的優勢，結合同類最佳的熱阻和高壓隔離，可處理800 V總線電壓。更高的能效和更少的發熱最終使OBC的性能更強大。它使xEV充電更快和續航里程更遠，這是消費者極為看重的兩個關鍵因素。

安森美汽車電源方案副總裁兼總經理Fabio Necco說：“我們的新模塊采用了最新的SiC技術，將損耗和整體系統體積降至最低，支持設計人員實現提升充電效率和節省空間的目標。設計人員采用預配置的模塊格式，能夠更快地配置他們的設計，大大縮短上市時間和降低設計風險。”

憑借安森美的端到端SiC供應鏈能力和經驗證的SiC MOSFET和二極管，APM32模塊具有高可靠性，且每個模塊都序列化，完全可追溯。這些模塊可在高達175℃的結溫 (Tj) 下工作，即使在具挑戰性的、空間受限的汽車應用中也能確保可靠性。

安森美電源方案部執行副總裁兼總經理Simon Keeton說：“APM32為客戶提供差異化的解決方案，它采用安森美同類最佳的封裝，充分發揮尖端前沿的SiC技術能力。此外，我們知道客戶重視供應保證，而我們的端到端SiC供應鏈能力可以提供這種保證。”

APM32系列的兩個模塊NVXK2TR40WXT和NVXK2TR80WDT采用H橋拓撲結構，擊穿(V(BR)DSS) 電壓1200 V，從而確保適用于高壓電池組。它們被設計用于OBC和HV DCDC轉換段。第三款模塊NVXK2KR80WDT采用維也納整流器拓撲結構，用于OBC的功率因素校正(PFC)段。6-pack模塊和全橋模塊也將很快推出，以完善SiC OBC的產品組合。

三款模塊都采用小巧、強固的雙列直插式封裝(DIP)，確保了模塊的低阻抗。頂部水冷和隔離功能符合最嚴格的汽車行業標準。爬電距離和電氣間隙符合IEC 60664-1和IEC 60950-1。此外，這些模塊還符合AEC-Q101和AQG 324車規。