打造10納米級制程試產線 南亞科增加約16億元資本支出

根據存儲器大廠南亞科的最新重大訊息公告指出，南亞科董事會于6日決議，將追加新臺幣65.6億元（約合人民幣15.5億元）的資本支出預算，用以打造10納米級制程產線。

此前南亞科董事會決議，在年度資本支出的部分，南亞科2020年度資本支出預算以不超過新臺幣92億元為上限，其中包含10納米級制程研發、試產及20納米遞延等資本支出等。如今再加入新的資本支出預算，預計2020年度的資本支出預算交以不超過157.6億元為上限。

事實上，南亞科總經理李培瑛在上一季法說會上就已經宣布，南亞科已完成自主研發10納米級DRAM生產技術，并且將在2020年下半年試產。而南亞科新成功開發出的10納米級DRAM生產技術，預計將使DRAM產品可持續微縮至少3個世代。而第一代的10納米級產品包括8GB DDR4、LPDDR4及DDR5將建構在自主制程技術及產品技術平臺上，并預計2020下半年進入產品試產階段。

至于第二代10納米級制程技術，已開始進入研發階段，預計2022年前導入試產，之后將會再開發第三代的10納米制程技術。李培瑛強調，南亞科進入10納米級制程之后，會以自行研發的技術為主，降低授權費用支出，以大幅提升效能。

目前以全球DRAM存儲器市場來說，其主要生產技術掌握在韓國三星、SK海力士、以及美商美光等3家企業的手中，而且3家廠商的合計市場占有率高達95%以上，其關鍵原因就在于3家企業的技術專利形成了極高的門檻，使其他公司不容易有機會進入市場。

而當前南亞科現在以20納米級的技術為主力，技術來源為過去的合作伙伴美光，而且每年也支付美光相關技術授權費用。而隨著南亞科導入自主的10納米級制程技術之后，則未來將不再大幅度仰賴美光授權，使得高昂授權費支付的情況也可以減少，有利于南亞科往后的營運發展。