中國剛突破128層QLC閃存 三星將首發160層閃存

上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術,QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創造了三個世界第一。國產閃存突飛猛進,三星等公司也沒閑著,三星正在開發160堆棧的3D閃存。

對3D閃存來說,堆棧層數越多,容量就越大,存儲密度就越高,這是3D閃存的核心競爭力,2020年全球將大規模量產100+層的3D閃存。

不過每家的技術方案不同,東芝、西數的BiCS 5代3D閃存是112層的,美光、SK海力士有128層的,Intel的是144層,而且是浮柵極技術的,三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層,今年也是量產的主力。

在136層之后,三星目前正在研發160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎。

目前160層+的3D閃存還沒有詳細的技術信息,韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。

考慮到三星在NAND閃存行業占據了超過1/3的份額,實力是最強的,不出意外160+層堆棧的閃存應該也會是他們首發,繼續保持閃存技術上的優勢,拉開與對手的差距。

對了,單從層數上來說,三星的160層+還不是最高的,SK Hynix去年宣布正在研發176層堆棧的4D閃存,不過他們家的閃存結構甚至命名都跟其他廠商有所不同,不能單看層數高低。