Vishay推出高效80 V MOSFET，導通電阻與柵極電荷乘積即優值系數達到同類產品最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉換拓撲結構和開關電路的效率，從而節省能源，其導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中MOSFET的重要優值系數（FOM）為129 mW*nC，達到同類產品最佳水平。

日前發布的器件10 V條件下導通電阻典型值降至2.35 mΩ，超低柵極電荷僅為55 nC，COSS為614 pF。這些改進后的技術規格，經過調校最大限度降低開關、通道導通和二極管導通功耗，從而提高能效。這款MOSFET的導通電阻與柵極電荷乘積優值系數（FOM）比緊隨其后的競爭產品低12.2 %，比前代器件低22.5 %，使其成為典型48 V輸入，12 V輸出DC/DC轉換器最高效的解決方案。

SiR680ADP可作為模塊用于各種DC/DC和AC/DC轉換應用，如同步整流、原邊開關、降壓-升壓轉換器，諧振回路開關轉換器以及系統OR-ing功能，適用于電信和數據中心服務器電源、太陽能微型逆變器、電動工具和工業設備電機驅動控制、電池管理模塊的電池切換。

新款MOSFET經過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。