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        1nm可期!ASML研發(fā)第二代EUV光刻機(jī)

        作者:蘇亞 時間:2019-07-05 來源:TechWeb 收藏

        本文經(jīng)AI新媒體量子位(公眾號 ID: QbitAI)授權(quán)轉(zhuǎn)載,轉(zhuǎn)載請聯(lián)系出處。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201907/402352.htm

        半導(dǎo)體制造過程中最復(fù)雜也是最難的步驟就是光刻,也因此成為最重要的半導(dǎo)體制造設(shè)備。

        在7nm制程的較量中,臺積電之所以能夠領(lǐng)先,一個很重要的原因就是EUV技術(shù),在半導(dǎo)體制造的工藝中,這部分的成本就能占到33%左右。

        目前最先進(jìn)的就是來自這家ASML公司生產(chǎn)的EUV,每臺售價超過1億美元,而且供不應(yīng)求。

        ASML的主要客戶為全球一線的晶圓廠,除了英特爾、三星和臺積電這三大巨頭之外,國內(nèi)的中芯國際也是ASML的客戶。

        有外媒報道稱,ASML公司目前正積極投資研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)。

        和往代的相比,新款EUV光刻機(jī)最大的變化就是高數(shù)值孔徑透鏡,通過提升透鏡規(guī)格使得新一代光刻機(jī)的微縮分辨率、套準(zhǔn)精度兩大光刻機(jī)核心指標(biāo)提升70%,達(dá)到業(yè)界對幾何式芯片微縮的要求。

        之前ASML公布的新一代EUV光刻機(jī)的量產(chǎn)時間是2024年,不過最新報道稱下一代EUV光刻機(jī)是2025年量產(chǎn),這個時間上臺積電、三星都已經(jīng)量產(chǎn)3nm工藝了,甚至開始沖擊2納米、1納米。

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