華虹半導體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺 成功量產

華虹半導體有限公司宣布其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現量產。

華虹半導體一直深耕嵌入式非揮發性存儲器技術領域，通過不斷的技術創新，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式閃存技術的最小尺寸紀錄。Flash IP具有更明顯的面積優勢，使得芯片整體面積進一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數量。與此同時，光罩層數也隨之進一步減少，有效縮短了流片周期。而可靠性指標繼續保持著高水準，可達到10萬次擦寫及25年數據保持能力。近年來，華虹半導體在90納米工藝節點連續成功推出三代閃存工藝平臺，在保持技術優勢的同時，不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平臺的大規模穩定量產，為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產品以及微控制器（MCU）等多元化產品提供持續穩定的支持和解決方案。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：“華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器技術的領航者，未來將繼續聚焦200mm差異化技術的研發創新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場，同時不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優化，將200mm現有的技術優勢向300mm延伸，更好地服務國內外半導體芯片設計公司，滿足市場需求。”