格芯和Microchip宣布Microchip 28納米SuperFlash嵌入式閃存解決方案投產(chǎn)

格芯（GlobalFoundries）與Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）及其旗下子公司Silicon Storage Technology^? （SST^?）近日宣布，采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術(shù)NVM 解決方案即將投產(chǎn)。

在實(shí)施SST廣泛部署的ESF3 SuperFlash技術(shù)方面，格芯確立了新的行業(yè)基準(zhǔn)。該實(shí)施方案具有以下功能和優(yōu)勢(shì)：

●   成本最低的28納米HKMG ESF3解決方案，僅增加了10個(gè)掩模，包括真正的5V IO CMOS器件

●   SST ESF3 位單元尺寸小于 0.05 平方微米，極具競(jìng)爭(zhēng)力

●   工作溫度額定值為?40°C至125°C

●   讀取訪問(wèn)時(shí)間為25 ns 、編程時(shí)間為10 us、擦除時(shí)間為4 ms

●   超過(guò)100,000次編程/擦除循環(huán)的耐用性

●   不影響使用GF 28SLPe平臺(tái)合格IP的設(shè)計(jì)流程（EG 流程）

●   可立即提供4 Mb至32 Mb 的現(xiàn)成宏程序

●   可從SST或GF獲得定制宏設(shè)計(jì)支持

隨著邊緣智能化水平的不斷提高，嵌入式閃存的用例也呈爆炸式增長(zhǎng)。 在家庭和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及智能移動(dòng)設(shè)備的廣泛應(yīng)用中，用于安全代碼存儲(chǔ)、OTA更新和增強(qiáng)功能的嵌入式內(nèi)存正呈上升趨勢(shì)。滿足這些需求需要?jiǎng)?chuàng)新的平臺(tái)。

格芯首席業(yè)務(wù)部官員Mike Hogan表示：“格芯很榮幸能與SST合作，在我們強(qiáng)大的28SLPe平臺(tái)上開(kāi)發(fā)、認(rèn)證并投產(chǎn)這款令人印象深刻的嵌入式NVM解決方案。格芯的客戶發(fā)現(xiàn)，這款解決方案集高性能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益于一身，非常適合先進(jìn)的MCU、復(fù)雜的智能卡以及面向消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品的物聯(lián)網(wǎng)芯片。”

Microchip 授權(quán)業(yè)務(wù)部兼SST副總裁Mark Reiten表示：“過(guò)去十年，SST與格芯緊密合作，將SST的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)ESF1和ESF3 嵌入式閃存技術(shù)集成到格芯的130納米BCD、55 納米、40 納米以及當(dāng)前的28 納米制程平臺(tái)并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。我們欽佩格芯在提供最廣泛的嵌入式NVM解決方案方面的領(lǐng)先地位，期待雙方的緊密合作關(guān)系在未來(lái)十年帶來(lái)更多突破。”

在今天于慕尼黑舉行的格芯 GTS峰會(huì)期間，SST在IP合作伙伴區(qū)展出其嵌入式閃存技術(shù)。

警示聲明

本新聞稿中有關(guān)GF在實(shí)施SST廣泛部署的ESF3超級(jí)閃存技術(shù)方面建立了新的行業(yè)基準(zhǔn)，以及GF正在建立最廣泛的嵌入式NVM解決方案，同時(shí)期待Microchip與GF的緊密合作關(guān)系在未來(lái)十年實(shí)現(xiàn)更多突破的表述，均為根據(jù)1995年《私人證券訴訟改革法案》的安全港條款做出的前瞻性表述。