碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國(guó)實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)？

　　我國(guó)彎道超車(chē)的機(jī)會(huì)來(lái)了?

　　雖然我國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展的時(shí)機(jī)已經(jīng)逐步成熟，處于重要窗口期。然而目前行業(yè)面臨的困難仍然很多，一個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與兩個(gè)方面有關(guān)：一個(gè)是技術(shù)層面，另一個(gè)重要問(wèn)題就是產(chǎn)業(yè)的生態(tài)環(huán)境。

　　目前國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新鏈并沒(méi)有打通，整體創(chuàng)新環(huán)境較差。從事寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)的研究機(jī)構(gòu)、企業(yè)單體規(guī)模小，資金投入有限，研發(fā)創(chuàng)新速度慢，成果轉(zhuǎn)化困難。

　　然而在寬禁半導(dǎo)體材料方面卻有比較樂(lè)觀的一面，中鎵半導(dǎo)體目前已建成國(guó)內(nèi)首家專(zhuān)業(yè)的GaN襯底材料生產(chǎn)線，制造出厚度達(dá)1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。2018年2月初，中鎵半導(dǎo)體氮化鎵襯底量產(chǎn)技術(shù)獲得重大突破，實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)首創(chuàng)4英寸GaN自支撐襯底的試量產(chǎn)。

　　天域半導(dǎo)體是我國(guó)首家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。據(jù)悉，早在2010年，該公司就與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所合作成立了“碳化硅技術(shù)研究院”。目前，天域半導(dǎo)體可提供6英寸SiC晶圓，以及各種單極、雙極型SiC功率器件。

　　風(fēng)華高科是一家專(zhuān)業(yè)從事新型元器件、電子材料、電子專(zhuān)用設(shè)備等電子信息基礎(chǔ)產(chǎn)品的高科技上市公司。

　　第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，可以被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，且具備眾多的優(yōu)良性能，可突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，故被市場(chǎng)看好的同時(shí)，隨著技術(shù)的發(fā)展有望全面取代第一、二代半導(dǎo)體材料。目前，美國(guó)、日本、歐洲在第三代半導(dǎo)體SiC、GaN、AlN等技術(shù)上擁有絕對(duì)的話語(yǔ)權(quán)。相比美、日，我國(guó)在第三半導(dǎo)體材料上的起步較晚，水平較低，但由于第三代半導(dǎo)體還有很大的發(fā)展空間，各國(guó)都處于發(fā)力階段，因此被視作一次彎道超車(chē)的機(jī)會(huì)。

　　總結(jié)

　　我國(guó)展開(kāi)SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國(guó)外相比水平比較低。但是隨著國(guó)家戰(zhàn)略層面支持力度的加大，且具有迫切的市場(chǎng)需求，因此我國(guó)將有望集中優(yōu)勢(shì)力量一舉實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破!

　　路漫漫其修遠(yuǎn)兮，吾將上下而求索。或許是概括這一行業(yè)的最好判語(yǔ)了。