下世代DDR4 DRAM 功能更強

在英特爾下一代處理器將支援新世代記憶體DDR4 DRAM下，包括三星、美光及海力士及相關模組廠，近期也相繼導入DDR4 DRAM試產行動，業者強調，DDR 4 DRAM因功耗低，運算速度更快，且支援矽鉆孔(TSV)3D IC設計，預料明年可望成為伺服器新寵。

DRAM業者表示，和DD3 DRAM比較，DDR4未來功耗將遠低于1.2伏特，比現在的DDR 3 1.5伏特更低，而資料轉換率每秒更達3.2Gb，同時具備16個族群，遠比DDR3的資料轉換率每秒2.13Gb、8個族群，資料處理速度更快且頻寬更寬。

不過，主導半導體技術標準的JEDEC，此次對未針對DDR4DRAM提出如DDR3 DRAM般公板設計，導致記憶體模組廠只能依照過去累積的設計能力，投入開發DDR 4 記憶體模組。

日前率先在英特爾開發者論壇，領先業界針對企業用戶、伺服器平臺，展示新世代DDR4記憶體模組的威剛，表示看好DDR4 DRAM未來應用。

威剛表示，未來仍會依循英特爾主導的規格進行相關DDR4設計，在JEDEC未制定公板下，將采客制化，依企業用戶需求，提供這項更高性能的記憶體儲存方案。

威剛表示，由于DDR 4尚未處于量產階段，初期價格預料也會非常昂貴，但因這項新記憶體導入更新的防錯設計，也支援TSV 3D IC架構，是未來3D IC必備的新世代記憶體，初期將會切入伺服器等應用領域。

據了解，包括三星、美光及SK海力士均已投入試產階段;國內DRAM大廠華亞科和南科，也預定第4季開始試產。