一種光耦可控硅中電阻觸發情況的分析

在光耦可控硅控制當中，電阻是非常重要的器件。但很多新手在接觸光耦可控硅當中的電阻時，都會遇到這樣那樣的問題。本文就將以一款光耦可控硅為例，為大家分析其中的電阻問題，感興趣的朋友快來看一看吧。

圖1

如圖1所示，在光耦可控硅驅動可控硅時，這個電阻的作用是什么呢?。通常來說，雙向可控硅的觸發有4種情況：

T2(或稱陽極)+ T1(或稱陰極)- G(或稱觸發極)+;

T2(或稱陽極)+ T1(或稱陰極)- G(或稱觸發極)-;

T2(或稱陽極)- T1(或稱陰極)+ G(或稱觸發極)+;

T2(或稱陽極)- T1(或稱陰極)+ G(或稱觸發極)-;

也就是說，無論雙向可控硅兩端是交流電的正半軸，還是負半周，觸發極都可以通過高和低兩種情況進行觸發，根據這條原理，圖1中在MOC3041關斷時，如果遇到T2(或稱陽極)-T1(或稱陰極)+正好滿足G(或稱觸發極)+的話，那么可控硅不是又觸發了嗎?

這是否意味著當MOC3041不工作時，雙向可控硅會在負半周繼續工作，相當于單向可控硅的功能?

實際上，G的觸發極性是相對于T1來說的。當3041關斷時，其微小的漏電流被并聯在G和T1間的電阻所旁路，使得其上面的電壓很低----近似等于0，遠小于觸發所需的電壓。所以根本不會發生觸發，不管是正半周還是負半周。

當交流負半周 即T1+T2-時，G極和T1等電位，不高于T1，也不會低于T1(在3041關斷時)，所以不會出現負半周工作的情況。而這個電阻旁路掉3041的漏電流，可以很好的關斷可控硅。

通過以上的介紹可以看到，圖1中的電阻能夠非常順利的對漏電流進行屏蔽，并達到關斷可控硅的目的。當然，這種分析只是對光耦可控硅電阻使用過程中眾多使用方法中的其中一種。還有很多情況是文中未涉及到的，需要大家通過設計來積累經驗。