砷化鋁鎵 (AlGaAs)技術簡介
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AlGaAs技術在微波行業采用能隙工程生產新型半導體結構已有二十多年的歷史。利用多量子阱、超晶格和異質結的各種性質，已制造出由分子束外延法和有機金屬化學氣相沉積法生長的新型半導體。這些帶隙原理已應用于MACOM AlGaAs技術的開發，因此推動了PIN二極管射頻性能的大幅提升。
主要優勢
與等效的GaAs PIN結構相比，改善了回波損耗、插入損耗和P-1dB指標
分立式異質結AlGaAs PIN二極管在10 mA偏流條件下展現了將高頻插入損耗降低兩倍的性能
主要應用
工業、科學和醫療
測試和測量
無線回傳
航空航天與國防
AlGaAs PIN開關
優勢：
超波段帶寬容量
低電流消耗
緊湊芯片尺寸
提供集成偏壓網絡
BCB刮擦保護特性：
工作頻率超過100 GHz
高隔離度
低插入損耗
提供最高40 W CW的功率處理能力
提供反射和終端版本
氮化硅鈍化
AlGaAs PIN開關產品
MACOM致力于發展AlGaAs技術
借助MACOM在GaAs技術方面的專業知識，我們研發出了諸如AlGaAs異質結構這類更復雜的高性能技術。依托我們Lowell Massachusetts晶圓廠研發的這項技術，我們進一步鞏固了適合多重市場應用的PIN二極管和開關產品的市場領先地位。
—Doug Carlson MACOM 技術開發副總裁
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