IGBT掃盲文，IGBT基礎與運用知識學習

　　嘗試去計算IGBT的開啟過程，主要是時間和門電阻的散熱情況。

　　C.GE 柵極-發射極電容

　　C.CE 集電極-發射極電容

　　C.GC 門級-集電極電容(米勒電容)

　　Cies = CGE + CGC 輸入電容

　　Cres = CGC 反向電容

　　Coes = CGC + CCE 輸出電容

　　根據充電的詳細過程，可以下圖所示的過程進行分析

　　對應的電流可簡單用下圖所示：

　　第1階段：

　　柵級電流對電容CGE進行充電，柵射電壓VGE上升到開啟閾值電壓VGE(th)。這個過程電流很大，甚至可以達到幾安培的瞬態電流。在這個階 段，集電極是沒有電流的，極電壓也沒有變化，這段時間也就是死區時間，由于只對GE電容充電，相對來說這是比較容易計算的，由于我們采用電壓源供電，這段 曲線確實是一階指數曲線。

　　第2階段：

　　柵極電流對Cge和Cgc電容充電，IGBT的開始開啟的過程了，集電極電流開始增加，達到最大負載電流電流IC，由于存在二極管的反向恢復電流，因此這個過程與MOS管的過程略有不同，同時柵極電壓也達到了米勒平臺電壓。

　　第3階段：

　　柵極電流對Cge和Cgc電容充電，這個時候VGE是完全不變的，值得我們注意的是Vce的變化非常快。

　　第4階段：

　　柵極電流對Cge和Cgc電容充電，隨著Vce緩慢變化成穩態電壓，米勒電容也隨著電壓的減小而增大。Vge仍舊維持在米勒平臺上。

　　第5階段：

　　這個時候柵極電流繼續對Cge充電，Vge電壓開始上升，整個IGBT完全打開。

　　我的一個同事在做這個將整個過程等效為一階過程。

　　如果以這個電路作為驅動電路的話：

　　驅動的等效電路可以表示為：

　　利用RC的充放電曲線可得出時間和電阻的功率。

　　這么算的話，就等于用指數曲線，代替了整個上升過程，結果與等效的過程還是有些差距的。

　　不過由于C.GE，C.CE，C.GC是變化的，而且電容兩端的電壓時刻在變化，我們無法完全整理出一條思路來。

　　很多供應商都是推薦使用Qg來做運算，計算方法也可以整理出來，唯一的變化在于Qg是在一定條件下測定的，我們并不知道這種做法的容差是多少。