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        常用大功率LED芯片制作方法

        作者: 時間:2017-10-22 來源:網(wǎng)絡 收藏

        為了獲得大功率LED器件,有必要準備一個合適的大功率LED面板燈芯片。國際社會通常是大功率的制造方法歸納如下:

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201710/367594.htm

        ①增加發(fā)光的大小

        單一的LED發(fā)光區(qū)域和有效地增加流動的電流量,通過均勻分布層TCL,以達到預期的磁通。但是,簡單地增大發(fā)光面積不解決這個問題,散熱問題,不能達到預期的效果和實際應用中的磁通量。

        ②硅底板倒裝法

        共晶焊料首先,準備一個大的LED面板燈芯片,并準備一個合適的尺寸,在硅襯底和硅襯底,使用金的共晶釬料層和導電層導體(超聲波金絲球窩接頭),以及使用所述移動設備的被焊接在一起共晶焊料的和大尺寸的硅襯底。這樣的結構更加合理,不僅要考慮這個問題,考慮到光與熱的問題,這是主流的大功率 LED生產(chǎn)。

        Lumileds公司,美國在2001年開發(fā)出了不同的倒裝芯片的電源的AlGaInN(FCLED)結構,制造過程:第一P型氮化鎵外延膜沉積在頂部的層厚度超過500A,并返回的反射Niau的歐姆接觸,然后選擇性地蝕刻,使用掩模,在P型層和多量子阱有源層,露出N型層淀積,蝕刻后形成的N型歐姆接觸層1的1mm&TImes;1mm的一側的P型歐姆接觸,N型歐姆接觸以梳狀插入其中,芯片尺寸,從而使當前的擴展距離可以縮短,以盡量減少支持和銦鎵鋁氮化物擴散阻力的ESD保護二極管(ESD)的硅芯片安裝顛倒焊錫凸塊。

        ③陶瓷板倒裝法

        通用裝置的晶體結構的LED面板燈芯片的的下一個大的,在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釬料層和導電層,在該區(qū)域產(chǎn)生的相應的引線,焊接電極中使用水晶LED芯片和大規(guī)格陶瓷薄板焊接的焊接設備。這樣的結構是需要考慮的問題,也是需要考慮的問題,光,熱,使用高導熱陶瓷板,陶瓷板,散熱效果非常好,價格也比較低,更適合為當前的基本包裝材料和空間保留給將來的集成電路一體化。

        ④藍寶石襯底過渡方法

        在藍寶石襯底除去后的PN結的制造商,在藍寶石襯底上生長InGaN芯片,然后再連接的傳統(tǒng)的四元材料,制造大型結構的藍色LED芯片的下部電極上,通過常規(guī)的方法。

        ⑤AlGaInN的碳化硅(SiC)背面光的方法

        美國Cree公司是世界上唯一的碳化硅基板的AlGaInN超高亮度LED制造商,多年來生產(chǎn)的AlGaInN / SICA芯片的架構不斷完善和增加亮度。由于在P型和N型電極分別位于該芯片的頂部和底部,使用一個單一的引線鍵合,較好的相容性,易用性,因而成為主流產(chǎn)品的發(fā)展AlGaInNLED另一個。



        關鍵詞: LED芯片

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