針對(duì)DDR3存儲(chǔ)器模塊應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成EEPROM溫度傳感器

　　安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）推出來(lái)自收購(gòu)Catalyst半導(dǎo)體而得的溫度傳感器新產(chǎn)品線的第二款產(chǎn)品—— CAT34TS02。這新器件結(jié)合了12位（另加標(biāo)記位）數(shù)字輸出溫度傳感器和2千比特（Kb）串行存在檢測(cè)（SPD）電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 （EEPROM），用于高速個(gè)人電腦（PC）和膝上型電腦、顯卡、服務(wù)器、電信設(shè)備和基站、環(huán)境控制系統(tǒng)及工業(yè)處理控制設(shè)備中的第三代雙倍數(shù)據(jù)率 （DDR3）應(yīng)用。

　　CAT34TS02符合電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì)（JEDEC）的JC42.4規(guī)范，在3.0至3.6伏（V）器件電源電壓范圍內(nèi)，75°C至95°C 和+20°C至+100°C工作溫度范圍時(shí)分別提供±1°C和±3°C的溫度傳感精度。它能夠每秒測(cè)量和記錄系統(tǒng)溫度近10次，并將相關(guān)讀數(shù)與內(nèi)部存儲(chǔ)器 寄存器中存儲(chǔ)的3個(gè)觸發(fā)限制值進(jìn)行比較。主系統(tǒng)能夠通過(guò)I2C/SMBus接口檢索讀數(shù)，而開(kāi)漏事件引腳會(huì)發(fā)出高出限制值或低于限制值條件的信號(hào)。

　　對(duì)于通用溫度傳感器應(yīng)用而言，將溫度傳感器與非易失性EEPROM集成在一起，消除了使用外部存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)傳感器和閾值配置信息的需要。此 外，CAT34TS02的非易失性存儲(chǔ)器在上電時(shí)會(huì)保留定制配置傳感器和閾值，從而提供簡(jiǎn)單、節(jié)省空間和高性價(jià)比的解決方案。

　　集成的2 Kb SPD EEPROM內(nèi)部組織為16頁(yè)，每頁(yè)16字節(jié)，總計(jì)256字節(jié)。這EEPROM具有16字節(jié)頁(yè)寫緩沖，支持標(biāo)準(zhǔn)（100 kHz）和快速（400 kHz） I2C協(xié)定，并具備所有DDR3雙列直插存儲(chǔ)器模塊（DIMM）定義為標(biāo)準(zhǔn)的永久及可逆軟件寫保護(hù)功能。

　　產(chǎn)品特性

　　• 12位數(shù)字溫度傳感器，帶2 Kb集成串行存在檢測(cè)（SPD） EEPROM

　　• 符合JEDEC針對(duì)DDR3 DIMM存儲(chǔ)器模塊的JC42.4規(guī)范

　　• 工作溫度范圍：+20°C至+100°C

　　• 電源電壓：3.0 V至3.6 V

　　• I2C/SMBus接口

　　• 封裝：8焊墊TDFN （2 mm x 3 mm）