富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

　　富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲(chǔ)器)(注1)產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體(注2)合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。

　　ReRAM是基于電阻式隨機(jī)存取的一種非易失性存儲(chǔ)器，此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，同時(shí)具備更低的功耗及更快的讀寫(xiě)速度。ReRAM作為存儲(chǔ)器前沿技術(shù)，未來(lái)預(yù)期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢(shì)。ReRAM存儲(chǔ)芯片的能耗可達(dá)到閃存的1/20，數(shù)據(jù)擦寫(xiě)上限是后者的10倍。

　　此全新產(chǎn)品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽(tīng)器等醫(yī)療設(shè)備，例如助聽(tīng)器等需要高密度且低功耗的電子設(shè)備上有絕佳的表現(xiàn)。

　　截至目前為止，富士通通過(guò)提供具有耐讀寫(xiě)及低功耗特性的FRAM(鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器)，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)遠(yuǎn)高于EEPROM以及串列式Flash等傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的效能需求。在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產(chǎn)品線后，富士通可進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)品系列，以滿(mǎn)足客戶(hù)多樣化的需求。

　　MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛范圍內(nèi)工作，還能通過(guò)SPI接口支持最高5 MHz的工作頻率，并在讀取時(shí)僅需極低的工作電流(5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA)。此外，該產(chǎn)品擁有業(yè)界非易失性?xún)?nèi)存最低的讀取功耗。

　　此全新產(chǎn)品采用209mil 8-pin的SOP(small outline package)，引腳與EEPROM等非易失性?xún)?nèi)存產(chǎn)品兼容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入4 Mbit的ReRAM，超越了串行接口EEPROM的最高密度。

　　富士通預(yù)期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運(yùn)用在電池供電的穿戴式設(shè)備、助聽(tīng)器等醫(yī)療設(shè)備，以及量表與傳感器等物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。

　　富士通預(yù)期未來(lái)持續(xù)提供各種產(chǎn)品與解決方案，以協(xié)助客戶(hù)提升其應(yīng)用的價(jià)值與便利性。

　　產(chǎn)品規(guī)格

　　組件料號(hào)：MB85AS4MT

　　內(nèi)存密度(組態(tài))：4 Mbit(512K字符x 8位)

　　界面：SPI(Serial peripheral interface)

　　工作電壓：1.65 – 3.6V

　　低功耗：讀入工作電流0.2mA(于5MHz)

　　寫(xiě)入工作電流1.3mA(寫(xiě)入周期間)

　　待機(jī)電流10µA

　　休眠電流2µA

　　保證寫(xiě)入周期：120萬(wàn)次

　　保證讀取周期：無(wú)限

　　寫(xiě)入周期(256 位/頁(yè))：16毫秒(100%數(shù)據(jù)倒置)

　　數(shù)據(jù)保留：10年(最高攝氏85度)

　　封裝：209mil 8-pin SOP