2440裸機學習心得(下)
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12、NORFLASH操作
norflash為EN29LV160AB
對norflash的操作主要就是讀、寫、擦除和識別
EN29LV160AB的數據寬度可以是8位字節型，也可以是16位的字型，它由某一引腳配置實現的。在這里我們選擇字型
BYTE#位置硬件接地，直接默認為Word Mode（16位）
寫操作只能使“1”變為“0”，而只有擦除才能使“0”變為“1”。因此在寫之前一定要先擦除
對norflash另一個比較常用的操作是讀取芯片的ID
NorFlash啟動,nGCS0接NorFlash,起始地址為0x0。0x0000 0000–0x0800 0000為NorFlash
注意幾個地方：
1、#defineCMD_ADDR0*((volatile U16 *)(0x555<<1+flash_base))
之所以又把norflash中的地址向左移一位（即乘以2），是因為我們是把s3c2440的ADDR1連接到了norflash的A0上的緣故，（自己看原理圖），容易理解，等于本來最低位的數被推后沒了，要左移拉回來。
2、check_toggle函數（校驗函數）中
oldtoggle = *((volatile U16 *)0x0);newtoggle = *((volatile U16 *)0x0);
表示兩次讀值
if((oldtoggle & 0x40)==(newtoggle & 0x40)) //表示兩次的DQ6是否相同
if(newtoggle & 0x20)//DQ5是否為1
幾個常用的函數：
讀函數： read_en29lv160ab(U32 addr)
return *((volatile U16 *)(addr));//數據要轉為16位
寫函數： en29lv160ab_program(U32 addr, U16 dat)
第一個周期是把命令0xAA寫入地址為0x555的命令寄存器中，
第二個周期是把命令0x55寫入地址為0x2AA命令寄存器中，
第三個周期是把命令0xA0再寫入地址為0x555命令寄存器中，
第四個周期為真正地把要寫入的數據寫入到norflash的地址中。
復位函數： reset_en29lv160ab(void)
是向任一地址寫入復位命令0xF0
擦除函數： en29lv160ab_sector_erase(U32 section_addr)
第一個周期是把命令0xAA寫入地址為0x555的命令寄存器中，
第二個周期是把命令0x55寫入地址為0x2AA命令寄存器中，
第三個周期是把命令0x80再寫入地址為0x555命令寄存器中，
第四個周期是把命令0xAA寫入地址為0x555的命令寄存器中，
第五個周期是把命令0x55再寫入地址為0x2AA命令寄存器中，
第六個周期是把命令0x30寫入要擦除塊的首地址內
驗證函數： check_toggle()
連續兩次讀取數據總線上的數據，判斷數據總線上的第6位數值（DQ6）是否翻轉，如果沒有翻轉則正確，否則還要判斷第5位（DQ5），以確定是否是因為超時而引起的翻轉。
讀ID函數：get_en29lv160ab_id()
第一個周期是把命令0xAA寫入地址為0x555的命令寄存器中，
第二個周期是把命令0x55寫入地址為0x2AA命令寄存器中，
第三個周期是把命令0x90再寫入地址為0x555命令寄存器中，
第四個周期為讀取地址為0x100中的內容，即廠商ID（0x1C）。
讀取設備ID的過程的前三個周期與讀取廠商ID相同，第四個周期是讀取地址為0x01中的內容，即設備ID（0x2249）
問題1：
原來真的是寫得塊地址問題，寫到前面的0x400就行，寫后一點如0xf0000就讀不出來了，0x0000 0000–0x0800 0000為NorFlash，為什么后面的不行呢？
問題2：
本來擦除后寫完能讀出寫的內容，但再復位后不寫，只讀回上次地址，發現讀出不同的數據
而且好像擦除后就算返回return 1也沒用，擦后讀回那地址，也不是全部數據為0的，也是有值的
13、NANDFLASH操作
nandflash為K9F2G08U0A，它是8位的nandflash
一個劣勢是很容易產生壞塊，因此在使用nandflash時，往往要利用校驗算法發現壞塊并標注出來
K9F2G08U0A的一頁為（2K＋64）字節（加號前面的2K表示的是main區容量，加號后面的64表示的是spare區容量），它的一塊為64頁，而整個設備包括了2048個塊
內存容量大小計算：
要實現用8個IO口來要訪問這么大的容量，K9F2G08U0A規定了用5個周期來實現。
列地址是用于尋址頁內空間，行地址用于尋址頁，如果要直接訪問塊，則需要從地址A18開始。
CMD_STATUS讀狀態命令可以實現讀取設備內的狀態寄存器，通過該命令可以獲知寫操作或擦除操作是否完成（判斷第6位），以及是否成功完成（判斷第0位）。
自己編寫NANDFLASH的步驟：（進行塊擦除，頁寫，頁讀）
1、在頭文件中列出相關的固量 和 函數 宏
常用的各種命令集；一些基于NANDFLASH控制器的基本函數
ECC應用和使能nandflash片選；NFSTAT寄存器
一些返回判斷值的宏定義
2、寫出幾個基本的初始化函數：
管腳，寄存器初始化函數 ； 復位函數 ； 讀NANDID號函數
3、相關的檢測判斷函數：
A、檢測是否寫擦除成功函數NF_toggle：通過NF_CMD(CMD_STATUS)狀態位
B、測試是否壞塊函數NF_testBadBlock：讀取2054處壞塊標志位
C、寫壞塊標志函數NF_MarkBadBlock：寫標志到 2054處
4、讀、寫、擦除函數：
具體自己看代碼了，有兩點要注意了：
A、讀操作 檢測正確性是通過ECC檢驗碼，而寫和擦除是通過toggle函數
B、隨機讀寫是 在讀頁，寫頁的基礎上 加上列的部分
注意區別兩個東西：
1、ECC檢驗碼的判斷
讀操作來說，我們還要繼續讀取spare區的相應地址內容，已得到上次寫操作時所存儲的main區和spare區的ECC，并把這些數據分別放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相應位置中。最后我們就可以通過讀取NFESTAT0/1（因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此這里只用到了NFESTAT0）中的低4位來判斷讀取的數據是否正確，其中第0位和第1位為main區指示錯誤，第2位和第3位為spare區指示錯誤。
2、壞塊的判斷
對于寫頁和擦除操作來說，通過toggle函數檢測：
NF_CMD(CMD_STATUS); //讀狀態命令
//判斷狀態值的第6位是否為1，即是否在忙
//判斷狀態值的第0位是否為0，為0則寫操作正確，否則錯誤
若第0位操作錯誤，則該塊為 壞塊
3、main區和spare區的解鎖只為了產生ECC碼，一旦產生后，就要鎖上，打開另外區的，不要影響互相順序的ECC碼產生
擴展：從NANDFLASH啟動程序
當檢測到是由nandflash啟動時，系統會自動把nandflash中的前4k字節的數據加載到Steppingstone中，然后把該Steppingstone映射為Bank0，因此系統會從Steppingstone開始運行程序，從而實現了s3c2440的nandflash自啟動的功能
通過在Steppingstone中，把程序的其余部分復制到RAM中，程序運行時由Steppingstone轉移到該RAM中，SRAM起始地址0x30000000
RdNF2SDRAM是C語言編寫的一段把nandflash中的數據復制到SRAM的程序
看看這函數，了解一下就行了
附加：nandflash、norflash、SDRAM的區別：
ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，
RAM通常都是在掉電之后就丟失數據，典型的RAM就是計算機的內存。
SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖
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動態RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。本文引用地址：http://www.104case.com/article/201611/323342.htm
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