CS5550讀寫程序

采用STM32F101與外部AD CS5550。

剛剛接觸這個CS5550，感覺時序有點怪異。尤其是讀的時候，在后3個指節，還要寫SYNCO.

剛開始對這個非常不理解。后來參考了網上的一個程序。貌似網上就只有一個程序。于是有一點理解。就是說，單片機在讀CS5550的數據時（也就是讀MISO）還要往CS5550（MOSI）寫數據。

CS5550讀寫大致是這樣的。

讀寫都要32個周期。

前8個周期讀寫都是相同的，就是都要先寫地址，然后讀/寫 地址的內容。

但是讀的時候在后24個周期的時候要寫3次SYNCO（11111110）.這個是難點，容易被忽略。

剛開始我也琢磨了很久。

后來終于柳岸花明。

然后就是周期的選擇，我是先低后高。看到網上很多程序都是先高后低。網上的程序我沒有成功過。可能自己沒設置好。

把自己的代碼分享下，可能還有錯誤。大家可以指點下。

總之寫程序要有耐心，可以模仿別人，但是千萬復制。往往復制的都會是有問題的。

//延時都是精確延時，時間可以短一點沒問題Delay_us(10)都行;

u32 Read_CS5550(u8 Read_Addr)
{
u8 Num;
u32 Read_Temp,Read_Data=0;
CS5550_CS_1;
Delay_us(50);
CS5550_CS_0;
Delay_us(100);
//數據手冊上說每次寫的時候要等24個周期。自己試驗后不需要等。
for(Num=1;Num<=8;Num++)
{
if(Read_Addr&0x80)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(1);
SCK_1;
Delay_us(1);
Read_Addr=Read_Addr<<1;
}//寫命令字

MOSI_1;
for(Num=1;Num<=24;Num++)
{
SCK_0;
Delay_us(20);
if(Num==7||Num==15||Num==23)//這里是難點，自己琢磨下。
MOSI_0;
if(Num==8||Num==16||Num==24)//這里是難點，自己琢磨下。

MOSI_1;
Read_Data=Read_Data<<1;
Read_Temp=MISO;
if(Read_Temp)
Read_Data=Read_Data+1;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);

}
MOSI_1;
CS5550_CS_1;
Delay_us(200);
return Read_Data;

}
//READ 修改。。

void Write_CS5550(u8 Write_Addr,u32 Write_Data)
{
u8 num;
CS5550_CS_1;
Delay_us(50);

CS5550_CS_0;
Delay_us(50);


MOSI_1;
Delay_us(200);
for(num=1;num<=8;num++)
{
if(Write_Addr&0x80)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);

Write_Addr=Write_Addr<<1;
}//寫命令字
for(num=0;num<24;num++)
{
if(Write_Data&0x800000)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
Write_Data=Write_Data<<1;
}//寫數據

MOSI_1;
SCK_0;
Delay_us(100);
CS5550_CS_1;

}

void Write_Command(u8 Command_Data)
{
u8 NUM;
CS5550_CS_1;
Delay_us(100);
CS5550_CS_0;
Delay_us(200);
for(NUM=1;NUM<=24;NUM++)
{
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);

}

for(NUM=1;NUM<=8;NUM++)
{
if(Command_Data&0x80)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);

Command_Data= Command_Data<<1;
}

for(NUM=1;NUM<=24;NUM++)
{
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);

}
CS5550_CS_1;
SCK_1;
MOSI_1;

}