EDI CON China 2016新增射頻絕緣體上硅專題分會和主旨報告

　　將于4月19-21日在北京國家會議中心舉行的EDI CON China 2016(電子設計創新會議)的主辦方宣布，GLOBALFOUNDRIES射頻業務拓展和產品營銷資深總監Peter Rabbeni將在新開設的射頻絕緣體上硅(RF SOI)技術專題分會上做題為《RF SOI：革新今天的無線電設計并推動明天的創新》的開幕主旨報告。來自Peregrine Semiconductor、TowerJazz、Simgui、AnalogSmith和上海交通大學的專家也將在RF SOI分會上發表演講或舉辦研習會。RF SOI分會的議題包括基材工程、設計的實現、CMOS功率放大器設計和高集成度控制設備。

　　Rabbeni先生的主旨報告將講述RF SOI在過去幾年中如何在移動射頻領域推動收發器和天線的性能改善、成本降低和結構革新，從而實現了高速增長。在近階段，沒有其它射頻技術有如此大的影響力。隨著無線標準變得越來越具有挑戰性以及5G的即將推出，RF SOI有望繼續在創新結構的開發方面扮演重要的角色。他的報告將闡述在這個技術領域我們已經走到了哪里、將向何處去。關于RF SOI還可以參考《微波雜志》15年11/12月發表的文章《RF SOI：引起射頻系統設計的革命》

　　EDI CON China 2016最近宣布了中國雷達行業協會主辦的會議和中國電工學會主辦的電磁兼容大會/展覽將與其同期同地舉辦。主辦方預計將有3000多人參會。3天的會議包含80場技術會議和30場企業贊助的研習會以及座談會。技術會議將按以下主題分為若干分會：射頻、微波和高速數字設計，射頻/微波建模和測量，EMC/EMI，高速數字建模與測量，系統級測量與建模，系統設計。關于會議的更多信息請訪問www.mwjournalchina.com/edicon。