砷化鎵集成電路市場(chǎng)2015年增長(zhǎng)率超過(guò)25%
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時(shí)間：2016-01-07
來(lái)源：中國(guó)國(guó)防科技信息中心
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盡管存在硅的競(jìng)爭(zhēng)，但無(wú)線通信的需求將繼續(xù)推動(dòng)砷化鎵市場(chǎng)發(fā)展。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/201601/285387.htm據(jù)美國(guó)市場(chǎng)研究和咨詢公司——信息網(wǎng)絡(luò)公司稱，強(qiáng)大的無(wú)線通信需求使砷化鎵集成電路市場(chǎng)2015年增長(zhǎng)率超過(guò)25%。
每個(gè)手機(jī)都包含基于砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)技術(shù)的功率放大器(PA)。一個(gè)2G手機(jī)包含一個(gè)PA，而一個(gè)3G手機(jī)通常含有多達(dá)五個(gè)PA。蘋(píng)果的4G智能手機(jī)6S包含六個(gè)PA：Avago的ACPM-7600和ACPM-8010，高通的QFE2320和QFE2340，和Skyworks的sky85303和sky85707。
該公司的“砷化鎵集成電路市場(chǎng)”報(bào)告稱，雖然GaAs PA逐漸被硅基CMOS產(chǎn)品替代，繼續(xù)失去市場(chǎng)份額，但在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，仍將在RF技術(shù)領(lǐng)域占主導(dǎo)地位。
PA的定價(jià)已經(jīng)從每個(gè)2G手機(jī)0.30美元提高到每個(gè)3G手機(jī)1.25美元，全球長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)技術(shù)中的PA為3.25美元。
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