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        在低成本測試夾具上實現對表面貼裝射頻元器件的精

        作者: 時間:2008-08-12 來源:網絡 收藏

        簡介


        工程師通常使用矢量網絡分析儀(VNA)測量元器件的S參數,以便對其特性進行表征并進行后續設計。他們在測量過程中遇到的一個問題是,這些元器件往往是表貼封裝的,不能直接與VNA連接。如圖1所示,工程師通常會制作簡單的PCB來對被測件(DUT)進行,建立被測件與VNA的連接。但是,這樣的本身會給S參數測量帶來寄生效應,必須通過一個稱為去嵌入的過程來去除這種效應。

        圖1 PCB對被測件(DUT)進行


        本文描述了一個實用的去嵌入過程,它不需建立連接DUT輸入和輸出饋線的等效電路模型,也不要求輸入饋線和輸出饋線對稱。只需要有一個能夠完成S參數和S-Y-Z矩陣轉換的簡易線性仿真器即可。本例使用了Agilent EEsof EDA開發的Genesys虛擬網絡分析儀軟件,并給出了使用該軟件過程的截屏。

        去嵌入的步驟


        去嵌入可以分為以下五個步驟


        ①制作三個PCB夾具,分別為開路、短路和連接DUT三種配置。


        ②使用網絡分析儀測量開路、短路和連接DUT三種配置的S參數。


        ③通過減去使用短路夾具測試得到的Z參數,從而在嵌入DUT和開路夾具中去除串聯寄生效應。


        ④通過減去上一步操作得到的開路夾具的Y參數,從而去除嵌入DUT的并聯寄生效應。


        ⑤把第四步的Y因數轉換為S參數,獲得實際的DUT特征值。


        Genesys虛擬網絡分析儀軟件可以非常方便地自動執行上述步驟。下面將詳細描述這些步驟。此處使用較粗的低阻抗傳輸線作為DUT,以描述去嵌入前后的結果。


        第一步:制作三個PCB夾具,分別為開路、短路和連接DUT的配置

        圖2 連接DUT的PCB


        制作三個PCB夾具,開始進行去嵌入。圖2為連接DUT的PCB。

        圖3 開路夾具


        如圖3所示,開路夾具是未安裝DUT且只有傳輸線與輸入端和輸出端相連的PCB。此夾具具有串聯和并聯的寄生效應。

        圖4 短路夾具


        如圖4所示,短路夾具是在開路夾具(見圖3)的基礎上,通過鉆出一排接地過孔,將連接DUT輸入和輸出參考面的傳輸線兩端短路而制成的。接地過孔造成的短路將會去除并聯寄生效應,只剩下串聯寄生效應。


        第二步:測量開路、短路和連接DUT的夾具的S參數


        使用經過適當校準后的VNA測量3個夾具的S參數,并將結果保存為“Open_Data”、“Short_Data”和“DUT_data”。通過在史密斯圓圖上顯示它們的S參數,來驗證短路和開路測量的質量。

        圖5開路夾具的響應


        圖5顯示了開路夾具的響應。S參數位于史密斯圓圖右側的開路區域。此圖顯示了開路夾具中的并聯電容寄生效應。

        圖6 短路夾具的響應


        圖6顯示了短路夾具的響應。S參數位于史密斯圓圖左側的短路區域,并包含一定的串聯電感。由于過孔的存在,這樣的響應是正常的。

        圖7 去嵌入之前的DUT響應


        圖7顯示了去嵌入之前的DUT(在本例中為一段粗傳輸線)響應。


        第三步:減去短路夾具的Z參數,以去除DUT和開路夾具的串聯寄生效應


        通過減去Z參數,我們可以從連接DUT的夾具和開路夾具中去除短路夾具的串聯寄生效應。

        圖8 利用Genesys的公式編輯器,去除串聯寄生效應和并聯寄生效應


        如圖8所示,首先在Genesys軟件的公式編輯器中,使用第7、12和18行命令將測得的“Open(開路)”、“Short(短路)”和“DUT(連接DUT)”的S參數轉換成Z參數。也可以通過別的方式進行相同的矩陣轉換運算,但是這種方法要方便得多。


        如圖8中第23和26行所示,我們現在可以執行減法運算,去除“DUT”和“Open”測量中的串聯寄生效應。
        第四步:減去第3步中的開路夾具的Y參數,從而去除DUT的并聯寄生效應


        現在可以通過減去Y參數來去除并聯寄生效應。如圖8所示,使用第24和27行命令分別將第3步中的“DUT”和“OPEN”的Z參數轉換成Y參數;使用第23行命令從DUT中減去“OPEN”的Y參數所代表的并聯寄生效應。


        第五步:把第4步中的Y參數轉換為S參數,從而獲得實際的DUT特征


        去嵌入的最后一步是使用圖8所示的第36行命令,將最終獲得的DUT的Y參數轉換回S參數。

        圖9 比較結果


        如圖9所示,為了驗證這些去嵌入步驟是否正確無誤,我們在史密斯圓圖上對仿真的DUT參數與通過上述步驟獲得的去嵌入S參數進行了比較。


        比較結果表明,去嵌入結果是正確的。請注意,得出的史密斯圓圖與僅對DUT(粗傳輸線)進行仿真的結果完全匹配。

        總結


        本文描述和驗證的去嵌入技術是一種非常實用的方法。采用它,工程師可以把元器件焊到PCB上,并使用VNA和簡易的自制測試夾具獲得精確的測量結果。為了保證良好的精度,基片上連接DUT的饋線越短越好,最好小于波長的1/20。



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