淺析選用高斯計的方法

四、永磁B-H磁滯回線測量儀

永磁B-H磁滯回線測量儀可測量永磁材料的磁滯回線和退磁曲線，準確測量剩磁Br、矯頑力HcB、內稟矯頑力HcJ和最大能積(BH)max等磁特性參數。

隨著計算機系統集成技術的迅速發展與應用，基于計算機操作平臺的磁測量系統也應運而生。

五、充磁

在磁體長度接近充磁線圈的情況下充磁時，磁體的垂直中心位置應與充磁線圈的垂直中心位置重合，這樣才能保證磁體兩端磁場強度相等，保證充磁的對稱性減小由於充磁方法的原因造成磁體兩端表面磁場強度相等。

理論證明，充磁線圈兩端磁場強度是線圈的中心點的磁場強度是的1/2，在磁體接近充磁線圈的長度時，對於H、SH以上系列的產品有可能無法飽和充磁，當磁場強度不是足夠大時，即使時M、N系列的產品也無法飽和充磁。在一般情況下，充磁磁體的長度最好小於充磁線圈的2/3。

六、磁體易磁化方向的判定

對於正方形方塊、垂直軸向取向的圓柱都存在取向(易磁化方向)的識別問題，可以采用已充磁的產品或借用儀器進行識別，具體方法如下：

(1)、用已充磁的產品進行識別：對於正方形方塊，由於材料的各向異性，磁籌是按取向方向排列，因而取向方向易於磁化，磁化之后異極相吸吸力較大，而非取向方向的吸力則小，以次來識別判定取向方向;檢測用的磁鐵應稍大一些，過磁體小時吸力大小差異不易判別;對於垂直軸向取向的圓柱，一般只能用已充磁的磁體進行檢測：用磁鐵吸圓柱表面，將圓柱吸起，與地面垂直的方向即為取向充磁方向;

(2)、利用磁通計進行識別：可以在正方形材料上吸一塊磁鐵，磁鐵的方向與磁通線圈垂直，磁通值相對較大的一面為取向面，與此面垂直的方向為取向方向。

高斯(G)，非國際通用的磁感應強度單位。為紀念德國物理學家和數學家高斯而命名。

單拉換算：1T(特斯拉)=1000MT(毫特斯拉)=10000GS(高斯)

1MT=10GS

什么是霍爾效應

半導體薄片置于磁感應強度為B的磁場中，磁場方向垂直于薄片，如圖所示。當有電流I流過薄片時，在垂直于電流和磁場的方向上將產生電動勢EH，這種現象稱為霍爾效應，該電動勢稱為霍爾電勢，上述半導體薄片稱為霍爾元件。

原理簡述如下：激勵電流I從a、b端流入，磁場B由正上方作用于薄片，這時電子e的運動方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力FL的作用，向內側偏移，該側形成電子的堆積，從而在薄片的c、d方向產生電場E。電子積累得越多，FE也越大，在半導體薄片c、d方向的端面之間建立的電動勢EH就是霍爾電勢。

由實驗可知，流入激勵電流端的電流I越大、作用在薄片上的磁場強度B越強，霍爾電勢也就越高。磁場方向相反，霍爾電勢的方向也隨之改變，因此霍爾傳感器能用于測量靜態磁場或交變磁場。