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        意法半導體和Memoir Systems整合突破性的存儲器技術和半導體制造技術

        作者: 時間:2013-11-21 來源:IC設計與制造 收藏

          橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布與Memoir Systems合作開發出革命性的算法內存技術(Algorithmic Memory Technology)。新技術將用于制造采用全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI,fully-depleted silicon-on-insulator)技術的專用集成電路(ASIC,application-specific integrated circuits)和系統芯片(SoCs,Systems on Chips) 的內部

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/192475.htm

          當集成到采用FD-SOI技術的產品時,Memoir Systems的算法沒有損失任何性能,這歸功于 FD-SOI在功耗和性能上的優勢 。此外,FD-SOI的極低軟錯誤率 結合超低泄漏電流對于包括網絡、交通、醫療和航空等關鍵應用意義重大。

          設計支持和服務執行副總裁Philippe Magarshack表示:“就FD-SOI工藝本身而言,FD-SOI配備了ASIC和SoC設計工具,與其它制造工藝相比,它可實現速度更快,散熱更低。而且增加了Memoir Systems的知識產權后,我們把FD-SOI產品變得更具吸引力,并展示了其簡單的移動特點。”

          Memoir Systems共同創辦人兼首席執行官Sundar Iyer表示:“我們專注于突破技術,實現更短的設計周期和極高的性能,這使我們的同類最優的算法存儲技術能夠嵌入FD-SOI平臺,這對于我們和客戶都具有重要意義。簡單的移動特點結合有目共睹的優異性能證實,FD-SOI可實現速度更快、散熱更低、設計更簡單。”

          作為領先的ASIC生產廠商,率先推出了突破性的全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)制造工藝,擴展和簡化了現有平面體硅制造工藝。FD-SOI晶體管提高了靜電特性,縮短了溝道長度,因此工作頻率高于采用傳統CMOS制造的晶體管。

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