兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設(shè)計與研究

3 仿真結(jié)果和性能分析
文中給出兩種多諧VCO：一種是3級反相器環(huán)形振蕩器(VCO1)；另一種是4級差分環(huán)形振蕩器(VCO2)。這兩種多諧振蕩器在其中心頻率的輸出波形，如圖4(a)，圖4(b)所示。VCO1和VCO2的壓頻特性，如圖5(a)和圖5(b)所示。本次設(shè)計采用了標(biāo)準(zhǔn)0．18μm n阱3層金屬CMOS工藝，提取版圖的網(wǎng)表和模擬參數(shù)，進(jìn)行后仿真。圖6(a)，圖6(b)分別為VCO1和VCO2的版圖。表1列舉了這兩種VCO的主要特性。

通過以上對兩種VCO的性能分析，得出這樣的結(jié)論：反相器環(huán)形VCO的優(yōu)點(diǎn)是電路設(shè)計簡單，振蕩頻率可以被設(shè)計得很高，但是它對電源或地的噪聲比較敏感，相位抖動較大。差分對型VCO的優(yōu)點(diǎn)是差分信號可以抑制地噪聲或電源噪聲，相位抖動較小。缺點(diǎn)是帶寬有限，不適于高頻應(yīng)用。

4 結(jié)束語
文中給出兩種高速CMOS多諧壓控振蕩器，采用了標(biāo)準(zhǔn)0．18μm CMOS制造工藝實(shí)現(xiàn)了較高的工作頻率和低功耗。由于該電路不需要任何外加元件，容易實(shí)現(xiàn)高集成密度。