基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
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(1)采用多種在線控制技術，降低了外延材料中的刃位錯和螺位錯，改善了Si與GaN兩者之間的熱失配和晶格失配，解決了GaN單晶膜的龜裂問題，獲得了厚度大于4 μm的無裂紋GaN外延膜。
(2)通過引入AIN，AlGaN多層緩沖層，大大緩解了Si襯底上外延GaN材料的應力，提高了晶體質量，從而提高了發光效率。
(3)通過優化設計n-GaN層中Si濃度結構及量子阱／壘之間的界面生長條件，減小了芯片的反向漏電流并提高了芯片的抗靜電性能。
(4)通過調節p型層鎂濃度結構，降低了器件的工作電壓；通過優化p型GaN的厚度，改善了芯片的取光效率。
(5)通過優化外延層結構及摻雜分布，減小串聯電阻，降低工作電壓，減少熱產生率，提升了LED的工作效率并改善器件的可靠性。
(6)采用多層金屬結構，同時兼顧歐姆接觸、反光特性、粘接特性和可靠性，優化焊接技術，解決了銀反射鏡與p-GaN粘附不牢且接觸電阻大的問題。
(7)優選了多種焊接金屬，優化焊接條件，成功獲得了GaN薄膜和導電Si基板之間的牢固結合，解決了該過程中產生的裂紋問題。
(8)通過濕法和干法相結合的表面粗化，減少了內部全反射和波導效應引起的光損失，提高LED的外量子效率，使器件獲得了較高的出光效率。
(9)解決了GaN表面粗化深度不夠且粗化不均勻的問題，解決了粗化表面清洗不干凈的難題并優化了N電極的金屬結構，在粗化的N極性n-GaN表面獲得了低阻且穩定的歐姆接觸。
2 Si襯底LED封裝技術
2.1 技術路線
采用藍光LED激發YAG／硅酸鹽／氮氧化物多基色體系熒光粉，發射黃、綠、紅光，合成白光的技術路線。
工藝流程：在金屬支架／陶瓷支架上裝配藍光LED芯片(導電膠粘結工藝)→鍵合(金絲球焊工藝)→熒光膠涂覆(自動化圖形點膠／自動噴射工藝)→Si膠封裝(模具灌膠工藝)→切筋→測試→包裝。
2.2 主要封裝工藝
Si襯底的功率型GaN基LED封裝采用仿流明的支架封裝形式，其外形有朗柏型、矩形和雙翼型。其制作過程為：使用導熱系數較高的194合金金屬支架，先將LED芯片粘接在金屬支架的反光杯底部，再通過鍵合工藝將金屬引線連接LED芯片與金屬支架電極，完成電氣連接，最后用有機封裝材料(如Si膠)覆蓋芯片和電極引線，形成封裝保護和光學通道。這種封裝對于取光效率、散熱性能、加大工作電流密度的設計都是最佳的。其主要特點包括：熱阻低(小于10 ℃／W)，可靠性高，封裝內部填充穩定的柔性膠凝體，在-40～120℃范圍，不會因溫度驟變產生的內應力，使金絲與支架斷開，并防止有機封裝材料變黃，引線框架也不會因氧化而沾污；優化的封裝結構設計使光學效率、外量子效率性能優異，其結構見圖2。
2.3 關鍵技術及創新性
功率型LED的熱特性直接影響到LED的工作溫度、發光效率、發光波長、使用壽命等，現有的Si襯底的功率型GaN基LED芯片設計采用了垂直結構來提高芯片的取光效率，改善了芯片的熱特性，同時通過增大芯片面積，加大工作電流來提高器件的光電轉換效率，從而獲得較高的光通量，也因此給功率型LED的封裝設計、制造技術帶來新的課題。功率LED封裝重點是采用有效的散熱與不劣化的封裝材料解決光衰問題。為達到封裝技術要求，在大量的試驗和探索中，分析解決相關技術問題，采用的關鍵技術和創新性有以下幾點。
(1)通過設計新型陶瓷封裝結構，減少了全反射，使器件獲得高取光效率和合適的光學空間分布。
(2)采用電熱隔離封裝結構和優化的熱沉設計，以適合薄膜芯片的封裝要求。
(3)采用高導熱系數的金屬支架，選用導熱導電膠粘結芯片，獲得低熱阻的良好散熱通道，使產品光衰≤5％(1 000 h)。
(4)采用高效、高精度的熒光膠配比及噴涂工藝，保證了產品光色參數可控和一致性。
(5)多層復合封裝，降低了封裝應力，實施SSB鍵合工藝和多段固化制程，提高了產品的可靠性。
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