新聞中心

        EEPW首頁 > 模擬技術 > 設計應用 > 推拉輸出電路的動態功耗

        推拉輸出電路的動態功耗

        作者: 時間:2010-06-12 來源:網絡 收藏

        設計者經常僅僅根據所接負載的直流輸入電流要求,冒險使的負載達到它的最大直流扇出能力。特別是當設計CMOS總線時這一想法尤其具有誘惑力,因為此時理論上的扇出能力是無限的。實際上重負載的總路線結構會帶來兩個缺點,上升時間將會減慢,而且驅動器件的功耗將會提高。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/187950.htm

        下例是一個重負載CMOS總線的實際上升時間和功耗計算的例子。

        例:CMOS總線的性能

        我們正為一臺并行計算機的共享存儲器子系統構造一個大型總線,如圖2.8所示。總線連接著20個小的CPU,其中任何一個都可能存取這個8位的隨機訪問存儲器(RAM)。整個系統裝配在一個大的電路板上。

        該總線是通過阻抗可控的50歐印刷電路走線來實現的,走線長度為10IN。圖2.8顯示出總線的傳播長度遠遠小于74HCT640門電路上的上升時間,因此在總線的兩端都沒有使用端接器。

        根據直流扇出系數,我們預期每個總路線驅動器應該能夠很容易地驅動其他20個電路。已知每個收發器的最大傳播延遲為9NS,我們計劃使總線運行在30NS的周期上(33MHZ)。

        為了檢驗這一設計,計算出每一條印刷線路負載電容,并分別與三態輸出的驅動阻抗相比較,計算出總線的RC上升時間。最后計算每個驅動器內的功耗。

        負載電路

        當每個驅動器轉換到關閉(OFF)狀態時,仍然存在負載電容。每個驅動器的這一I/O負載電容在手冊中都被制造商標明為10PF。我們有20個負載,所以負載電容總共為200PF。加上底板印刷線路的電容2PF/IN,可以得到:

        74HCT640的輸出電阻

        在SIGNETICS的高速CMOS數據手冊上列出了以下指標(兩個驅動晶體管中上端的情況是最差的):

        VCC=4.5V

        VOH=3.84V

        I輸出=6.0MA


        上一頁 1 2 下一頁

        評論


        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 台南县| 双鸭山市| 贡山| 射洪县| 顺平县| 平安县| 莱阳市| 临泽县| 鄢陵县| 西畴县| 介休市| 桓台县| 濮阳县| 新宁县| 勐海县| 达孜县| 华池县| 汉沽区| 玉田县| 台东县| 屏东县| 凤翔县| 广州市| 南城县| 右玉县| 普兰县| 浮梁县| 武功县| 凤山县| 昌黎县| 平昌县| 长海县| 永川市| 环江| 穆棱市| 凯里市| 依安县| 揭西县| 泾源县| 河东区| 调兵山市|