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        基于O.18μm CMOS工藝的寬帶LCVCO設計

        作者: 時間:2009-07-28 來源:網絡 收藏

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/181294.htm


        通常衡量VCO的指標有:自振頻率、振蕩范圍、輸出幅度,相噪.功耗等。一般采用優值FOM(Figure of Merit)來評價VCO的優劣:


        其中:f0是自振頻率,△f為頻偏.L(△f)是頻偏△f,處的相噪。P為直流功耗

        2 寬帶LCVCO設計實現
        本文目標是設計一個覆蓋1.1 GHz~2.1 GHz頻段的CMOS LCVCO電路。覆蓋范圍包括如表l所示的各標準協議頻段。
        使LCVCO獲得大調諧范圍的方法之一是增大容抗管的Cmax/Cmin,但這會增大VCO的壓控增益KCCO。,致使相噪惡化。為了解決這個矛盾,通常采用開關電容陣列(DC-CA)把頻帶分為若干子頻帶,通過開關電容的接人與斷開來實現子頻帶之間的切換,子頻帶內則由容抗管的調諧來實現覆蓋,其結構圖如圖3。


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        關鍵詞: 耦合 低功耗 射頻

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