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        新穎的自動恒流放電系統的設計

        作者: 時間:2010-03-09 來源:網絡 收藏

        3 估算發熱

        根據上述對IGBT的分析研究,三棱H系列IGBT器件―CT60是基于第三代IGBT技術和續流二極管技術,為功率電路設計、緩沖電路(吸收回路)設計及熱設計而采用的大功率器件。它的最大允許峰值電壓VCES為1000V;最大通過峰值電流IC為60A;T=25°C時IGBT的最大允許功耗為250W;T=25°C時IGBT結溫的允許范圍為-40~150°C;在規定條件和額定集電極電流下,IGBT的飽和壓降(通態電壓)VCE(sat)為2.6V;開通和過渡時間tdon 為0.15μs;上升時間tr為0.3μs;關斷過渡時間tdoff 為0.3μs;續流二極管的正向壓降VEC為3V。

        由此可知最大導通功耗:

        PSS=VCE(sat)×IC×n=2.6×25×0.85=55.25W

        而開關損耗

        PSW=(0.7+6.2 ×20=6.9×20=138W

        則IGBT的總功耗

        PC=PSS+PSW=193.25W<250W(額定功耗值)

        在計算了IGBT的總平均功耗PC=193.25W后,就可估算IGBT表面部分的平均結溫Tj=Tc+Pc×Rth(j-c),其中Tc為環境溫度(假設環境溫度為30°C),Pc為總平均功耗,Rth(j-c)為標定的結殼熱阻(查CT60的標定結殼熱阻為0.4°C/W),則IGBT的表面平均結溫:

        Tj=Tc+Pc×Rth(j-c)=30+193.25×0.4=107.3°C

        通過計算可知,不能忽視IGBT在運行中所發生的巨大導通功耗和開關功耗。而這些功耗通常表現為熱,所以必須采用散熱器把這些熱量從功率芯片傳導到外部環境中去。當把IGBT安裝在散熱器上時,還應注意避免安裝受力不均勻,因此使用平面度為150μm的散熱器。為了達到有效地把熱量傳導到外部散熱器,在傳熱界面要選擇使用在工作溫度內性能穩定并且在裝置壽命期內性能不發生變化的導熱硅脂。

        4 系統保護

        由于實際的功率電路線路中總有寄生漏電感,當IGBT被關斷時,感性負載中的電流不可能立刻發生變化,該負載電感兩端產生阻止母線電流減少的電壓V(V=Ldi/dt)。它與電源電壓相迭加并以浪涌電壓的形式加在IGBT的兩端。在極端情況下,該浪涌電壓會超過IGBT的額定值Vces并導致它損壞。在IGBT功率回路中引起浪涌電壓的能量與1/2LpI2成比例,Lp是母線的寄生電感,I是工作電流。由此可見,在使用大電流的器件時更加需要降低功率回路的電感。因此為了得到一種適合大電流工作的低母線電感電路,就需要特殊的母線結構。有交錯鍍銅層和絕緣層構層的迭層母線設計,可以使電感量降低。迭層母線中被絕緣層隔離的寬板用于正極和負極母線的連接,這種寬板起到了防止功率回路中寄生電感的作用。

        其次,好的緩沖電路可以有效控制浪涌電壓的關斷和用續流二極管恢復浪涌電壓,用以減少功率器件的開關損耗。IGBT緩沖電路與傳統的雙極晶體管緩沖電路存在兩個方面的區別:一是IGBT具有強大的開關工作區,緩沖電路只需控制瞬態電壓而不需要保護就可以抑制伴生達林頓晶體管的二次擊穿超限;二是IGBT常工作在比達林頓高得多的頻率范圍。三種IGBT緩沖電路如圖3所示。

        緩沖電路“B”使用快恢復二極管可箝住瞬變電壓,從而抑制振蕩的發生。緩沖電路“B”的RC時間常數,應該設為該開關周期的約1/3(τ=T/3=1/3f)。但對于大功率級別的IGBT工作,緩沖電路“B”的回路寄生電感將變得很大,以至不能有效地控制瞬變電壓。由于大功率IGBT電路需要極低電感量的緩沖電路,而且緩沖電路必須盡可能地聯到IGBT上,設計緩沖電路時,得考慮二極管封裝內的寄生電感和緩沖電容引線的寄生電感。通常,小電容并聯或二極管并聯產生的電感量比大的單電容或單二極管產生的電感量更低。

        IGBT在運行中會有導通功耗與開關功耗發生。這些功耗通常表現為熱,所以必須采用散熱器把這些熱量從功率芯片傳導到外部環境中去。如熱系統設計不當,功率器件將過熱并導致損壞。導通損耗伴隨IGBT處于通態并傳導電流而發生。導通期間的總功耗是由通態飽和電壓與通態電流的乘積來計算的。在PWM的應用中,導通損耗須與占空比因子相乘,從而得到平均功率。導通損耗的一次近似可通過IGBT的額定VCE(sat)值與期待的器件平均電流值的乘積來得到,即PSS=VCEsat ×Ic。開關損耗是在IGBT開通與關斷過渡過程期間的功率損耗。當PWM信號頻率高于5kHz時,開關損耗會非常顯著,一定要在熱設計中予以考慮。得到開關損耗的最精確的方法是測量在開關過渡過程中Ic與Vce的波形。將此波形逐點相乘,從而得到功率的瞬時波形,此功率波形下面的面積就是以焦耳/脈沖為單位的開關能量,這一面積通常通過作圖積分來計算。總開關能量是開通與關斷過程所耗能量之和,平均開關損耗是由單脈沖總開關能量[1]與PWM頻率相乘得到,即:平均開關功耗PSW=fPWM×[ESW(on)+ESW(off)]。而總功耗為導通功耗與開關功耗之和,即PC=PSS+PSW。此放電系統也將利用該公式來估算IGBT器件的平均功耗。

        5 PCB的總體可靠性設計

        良好的電路布局是保證設備和電路安全運行及長壽命的重要前提,同時工藝限制也對PCB提出了嚴格的要求,應遵循以下幾條原則:

        ?PCB可靠性設計應做到系統集成化、專業化設計。總體考慮電源地線布置、去耦與排線設計。區域分配應注意模擬電路、數字電路、功率器件的布局[2]。

        ?可靠的電源、地線設計應做到模擬、數字的分別供電,減少地線公共阻抗,防止形成地線回路,同時保證一點接地以及電源入口的去耦設計。

        該自動恒流放電模塊可配合智能蓄電池組監測系統使用,當放電時放電電流連續可調,此時智能蓄電池組監測系統將監測每節電池的電壓變化,當有任一節電池電壓低于設定值時(或交流停電),放電自動停止,顯示放電時間,并予以記錄。該模塊也可單獨使用,當放電時放電電流連續可調,此時需人工監測每節電池的電壓,控制放電模塊停止放電。本設備使用簡單,安全可靠,恒流精度高,可廣泛應用于需要對蓄電池或電源進行恒流負載放電的場合。


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