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        控壓型DC-DC變換器電流環路補償設計

        作者: 時間:2010-04-17 來源:網絡 收藏

        結合(5)和(6)兩個式子可以得到:


        由此可見,當時,可在最壞情況下(D=100%,即m2>>m1)滿足系統的開環穩定性要求。

        圖1所示的電路同時給出了在反饋電壓上疊加斜坡電壓的方法。通過比較分析可知,兩種方法在效果上是等效的,但是第二種方法中的電路實現相對更簡單,因此較為常用。

        2.2 采樣原理與方法

        傳統采樣方法是在開關管的電流通路上串接檢測電阻,這樣不僅降低了轉換器的效率,而且對于傳統工藝來說,制作這樣的小電阻也很困難。為了彌補這些不足,本文在SENSEFET采樣方法的基礎上,加入了簡潔的V/I變換電路,從而形成了一種結構簡單且精度較高的采樣電路,其電路主體如圖l中的采樣電路所示。其中MM為POWER FET,其寬長比的非常大,可以減小其導通阻抗(本電路的典型值為150 mΩ);Ms為SENSE FET;檢測電阻RSEN可利用工作在線性區MOS管的導通阻抗特性,使其寬長比與Ms相同,因此,導通阻抗與Ms的相等,記為RSEN。為了減小采樣損耗,一般必須使(W/L)MM(W/L)Ms。

        設(W/L)Ms:(W/L)MM=n(n的取值一般不低于100),開關管電流為IM,則有:



        采樣電壓VSEN經過簡潔實用的V/I轉換電路后,可將其轉換成所需要的采樣電流信號ISEN,然后與斜坡電流信號ISLOPE在R∑進行疊加,就可得到所需的電壓V∑。

        3 改進型電路

        3.1 斜坡產生電路

        圖3所示是一種改進型斜坡產生電路,圖中,MP5、MP6為匹配的差分對管:Q1、Q2匹配(rCE(Q1)=rCE(Q2),為負載管,它們的發射極面積相等,為Q3的兩倍。負載管Q1、Q2采用三極管,可在高匹配性的同時大大減小噪聲影響。在Q2的集電極與基極之間加一個射極輸出的晶體管Q4,可以減小Q2和Q3基極電流對ID(MP6)的分流;而在Q2和Q3的基極與地之間加電阻R4,則可用來提高Q4的β。Vc為片內振蕩器充放電電容上的鋸齒波電壓,Vc的變化范圍為V1-V2。其中V2和V1分別為振蕩器充放電的高、低設定電壓值。



        此電路主要任務是將電容上的鋸齒波電壓轉換成所需要的斜坡電流。

        3.2電流采樣電路

        圖4所示為本系統中的電流采樣電路。該電流采樣電路由三部分組成:采樣電路、緩沖級電路和電壓/電流(V/I)轉換電路。其中采樣電路采樣得到反映電感電流的電壓VSEN后,可經過優化處理的緩沖級電路進行電平平移,從而得到VSEN’,以避免采樣電壓受到后級電路的影響,即:


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